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1、光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括：光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂.光刻皎分类在平板显示行业，主要使用的光刻胶有彩色及黑色光刻胶、1.CD触摸屏用光刻胶、TFT-1.CD正性光刻胶等.在光刻和蚀刻生产环节中，光刻胶涂没下晶体薄膜表面.经曝光、显影和蚀刻等工序将光罩（掩膜版）上的图形转移到薄膜上，形成与掩膜版对应的几何图形“（光刻胶胶涂工艺）在PCB行业，主要使用的光刻胶有干膜光刻胶、湿膜光刻胶、感光阻焊油墨等。干膜是用特殊的薄膜贴在处理后的敷铜板上，进行曝光显影：湿膜和光成像阻焊油墨则是涂布在敷铜板上，待其干燥后进行曝光显影。
2、干膜与湿膜各有优势，总体来说湿膜光刻胶分辨率嬴r干膜，价格更低廉，正在对干股光刻胶的部分市场进行咨代。B1.ueBack1.ightQDCo1.orFi1.ter(b1.uepassthrough)Disp1.ay（液晶屏显彩色滤光膜制造有赖于彩色光刻胶）在半导体集成电路制造行业，主要使用g线光刻胶、i线光刻胶、KrF光刻胶、ArF光刻胶等。在大规模集成电路的制造过程中，一般要对徒片进行超过十次光刻。在每次的光刻和刻蚀工艺中，光刻胶都要通过预烘,涂胶、前烘、对准、曝光、后烘、显影和蚀刻等环节，将光罩（掩膜版上的图形转移到硅片上。（感光阻焊油墨用于PCB）光刻胶是集成电路制造的道要材料，光刻胶的
3、质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可兆性的关键因素。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%,并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%-50%,光刻胶材料约占IC制造材料总成本的4%,市场巨大。因此光刻股是半导体集成电路制造的核心材料。光刻胶是半导体制程技术进步的“燃料”在集成电路制造领域，如果说光刻机是推动制程技术进步的引擎，光刻胶就是这部引擎的燃料下图展示了光刻胶如何在一个NMOS-：极管的制造工艺中发挥作用。NMOS三级管是半导体制程工艺中最常用的集成电路结构之一。（光刻胶在NMoS三极管中发挥作用）半导体光刻胶的涂敷方法主要是旋转涂胶法，具体可以分为静态旋转法和动态喷洒法。伸志旋转法
4、：首先把光刻胶通过滴胶头堆积在硅片的中心，然后低速旋转使得光刻胶铺开，再以高速旋转甩掉多余的光刻胶,在高速旋转的过程中，光刻胶中的溶剂会挥发一部分。（合格与不合格的静态涂胶过程示意图）动态喷洒法：随着硅片尺寸越来越大,除态涂胶已经不能满足最新的硅片加工需求。相对静态旋转法而言，动态喷洒法在光刻胶对硅片进行浇注的时刻就开始以低速旋转帮助光刻胶进行最初的扩散。（动态喷泗法涂胶过程示意图）光刻胶材料制备球全高以及相应市场情况光刻胶所属的微电子化学品是电子行业与化工行业交叉的笔（城,是典型的技术密集行业。从事微电子化学品业务需要具备与电子产业前沿发展相匹配的关键生产技术，如混配技术、分离技术、纯化技术
5、以及与生产过程相配套的分析检验技术、环境处理与监测技术等.整个工艺流程可以如下图所示:（工艺流程图）作为IC、FPD、PCB等产业象域核心原材料，光刻胶行业存在极高的行业壁垒，因此在全球危困其行业都呈现奇头垄断的局面，光刻胶行业长年被日本和美国专业公司垄断。（全球光刻胶生产企业市场份额）TOOscftr.eG一fr.1Gr-6一r0一fr*swsgw*系承裁整占泉/云838883百己己588.1一ff1.-日本一0田一中国一H343H(各国有关光刻胶论文数员)聚EK(PI)应用于光刻皎体系PSP1.是能够发生光化学反应的P1.,通常被应用于光刻胶体系，应用时在P1.树脂的主体上还要加入具有感光性能的化合物，这类化合物被统称为感光剂或光敏剂,通常为叠靓恭褪(DNQ)类化合物或1,4.二氢哦噬(DHP)PSP1.能够在紫外光的辐照下，改变溶解性能，从而在硬性溶液中显影形成图案。PSPI由于自身具备光刻功能，因此可以省去传统光刻工艺中光刻胶涂覆、刻蚀和去胶步骤。
