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1、PCM 测试培训测试培训概概 述述PCM PCM 测试的作用测试的作用测参数参数有什么作用参数有什么作用? ? 建立器件模型 制定出片标准 监控工艺质量 寻找低良原因PCM PCM 设备类型设备类型CMOS/BICMOS/E2CMOS/BICMOS/E2等低压器件测试设备等低压器件测试设备: :4070/4062/450/425;4070/4062/450/425;DMOSDMOS测试设备测试设备: :FET3600(FET3600(兼顾兼顾CPCP测试和中测打点的功能测试和中测打点的功能) )二极管测试设备二极管测试设备: :APD01APD01概概 述述三三 PCM PCM 测试系统结构测
2、试系统结构控制终端控制终端 测测 试试 仪仪TESTER探针台探针台PROBER概概 述述开关矩阵开关矩阵和针卡和针卡电容仪电容仪万用表万用表脉冲发射器脉冲发射器PCM程序描述4070:语言BASIC程序结构:子程序 主程序 PRINT文件 LIMIT文件 坐标文件TESTSUBS.6TESTSUBS.6TESTS.TESTS.6 6printprintTSTLSTTSTLST/TLbkup/TLbkup.std.std产品测试程产品测试程序序:CODE名名TESTS.6TESTS.6printprintTSTLSTTSTLST/TLbkup/TLbkup.std.std450程序描述:语言:
3、C子程序 主程序 标准测试模块 LIMIT FILE 坐标文件产品测试程产品测试程序序:CODE名名pgmpgmklfklfplansplans.wdu.wduPLANSPLANSNMOS/PMOSNMOS/PMOS klf klf.wdu.wduPGMPGM cpf/wpf cpf/wpf开发PCM程序需要与PCM确认什么信息?测试需要的硬件配(电容仪/脉冲发生仪等)针卡信息针卡上的针间距是否可以与开发产品WAFER上的PAD间距一致;针卡上的针的个数与排列是否与开发产品WAFER上的PAD个数与排列一致测试电压电流要求PCM测试机台是否可以满足4070/4062: 见后页450/425:
4、200ma/200vFET3600:5A/2000V4070450PCM测试程序开发开发PCM程序需要提供什么资料?测试模块坐标测试电学条件参数规范PCM程序开发需要填写的表单?E状态产品的更改路径:Fas920aFab1文件库特别共享PI电性测量课TD程序调试申请报表M/N/P/ER状态的更改使用路径,工作流路径: 什么时候需要写什么时候需要写申请申请: :单个产品更单个产品更改的时候改的时候, ,子程序子程序优化走优化走PCMPCM人员走人员走-PCCB-PCCB程序开发完后PCM人员做什么?E状态产品:M/N/P/ER状态产品:EIP系统里会有附件附上.PCM异常处理流程PCM测试问题分
5、析流程测试问题反馈测试问题思考方向:针卡/机台/操作习惯/程序经典案例分析450 IOFF-弥补设备硬件差异MGLV P+ 测试问题-解决工艺缺陷VTFOX测试问题-TESTKEY设计问题导致PCM问题FAIRCHART 扎偏移-找目标对测试的影响450 IOFF产品反映IOFF 450/4070测试值有台阶,导致工艺SPC不达标准450 IOFF为什么会有漏电类参数,450测试结果比4070漏电小的呢?450 IOFF检查程序寻找差异,450漏电更小的原因是使用了皮安表450 IOFF优化程序解决问题 LVMG产品一直以来都存在P+测试不出的问题，现在以在北京生产的ICET316/314尤为
6、突出 分析认为是PCM TEST设计结构不合理导致PCM测试有问题MGLV P+ 测试问题MGLV P+ 测试问题-PCM P+ 测试结构备注：红色：备注：红色：N+；兰色：；兰色：P+；绿色：；绿色：ALALSIO2N+NSUB探针探针结论：因为设计规则的问题，导致当探针过重扎穿结论：因为设计规则的问题，导致当探针过重扎穿AL/SIO2（1100A）直）直接与接与N+连通，即发生漏电，电阻测量不出。当探针轻扎时，连通，即发生漏电，电阻测量不出。当探针轻扎时，P+是可以测是可以测试出来的，与实验吻合，见附录一。试出来的，与实验吻合，见附录一。MGLV P+ 测试问题PCM N+ 测试结构备注：
7、红色：备注：红色：N+；兰色：；兰色：P+；绿色：；绿色：AL结论：因为设计规则的问题，导致当探针过重扎穿结论：因为设计规则的问题，导致当探针过重扎穿AL/SIO2（1100A）直）直接与接与N+连通，因为所接触的还是连通，因为所接触的还是N+，不会漏电，这就是，不会漏电，这就是N+从没有出现测从没有出现测量不出的原因量不出的原因ALSIO2N+PWELLNSUBMGLV P+ 测试问题 结论：因为模块设计问题，导致会有测试不出的问题发生，与PCM工艺无关经过单点扎针测试经过单点扎针测试,发现当高度为发现当高度为310时时,测试结果为片子真实值测试结果为片子真实值(同一点同一点).针高针高=3
8、10=310Default_XDefault_XRs_pplusRs_pplusratioratio1 1768.311768.3111.118641.118642 2771.354771.3541.127121.127123 3771.354771.3541.136751.136754 4772.876772.8761.117651.117655 5777.44777.441.126051.126056 6772.876772.8761.127121.127127 7785.047785.0471.123971.123978 8774.397774.3971.117651.117659 97
9、77.44777.441.099171.09917附件一：PCM探针高度实验同一片在310高度测试的结果05.dat_4:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 0 0 710.5 0 0 UUU.U 500 90005.dat_4:PPLUS CONT RES OHMS/CNT 53.8 -33.17 26.05 105.9 581 53.8 .U.O 0 25025.dat_4:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 0 0 0 0 0 UUUUU 500 90025.dat_4:PPLUS CONT RES OHMS/CNT -506.3 -192.2 130.3
10、 2.3E+04 443.7 130.3 UU.Oo 0 25012.dat_5:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 814 0 0 0 0 U.UUU 500 90012.dat_5:PPLUS CONT RES OHMS/CNT 2.4E+04 100.5 4.2E+04 2E+21 2E+21 4.2E+04 O.OOO 0 250发现有的点能测试出发现有的点能测试出,而有些点测不出而有些点测不出. 加深为加深为311,则测试结果如下则测试结果如下:15.dat_5: PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 739.4 0 734.8 0 0 0 .U.UU 50
11、0 90015.dat_4: PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 721.1 713.5 0 744 713.5 U.U. 500 90017.dat_4: PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 715.1 745.5 721.1 696.8 742.4 721.1 . 500 900认为针的高度对测试结果有很重要的结果认为针的高度对测试结果有很重要的结果,但很难保证测试高度合适但很难保证测试高度合适17.dat_6:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 0 0 0 0 0 UUUUU 500 90021.dat_5:PPLUS SHEET RES OH
12、MS/SQ 0 710.5 0 0 748.5 0 U.UU. 500 90022.dat_7:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 705.9 709 0 744 705.9 U.U. 500 90025.dat_7:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 712 0 724.2 0 0 U.U.U 500 900加深为加深为312,则测试结果如下则测试结果如下:不难发现当针高由不难发现当针高由311变为变为312时时,17片的片的P+测试不出来测试不出来 TEST UFORCE I如上图所示，如上图所示，PPLUS RES 测试为范德堡测试方法。即在相邻两端加电测
13、试为范德堡测试方法。即在相邻两端加电流，测另外两端的电压（一共可测出四组值），然后再流，测另外两端的电压（一共可测出四组值），然后再 电压除电流得出电压除电流得出所要测的电阻所要测的电阻。具体公式为具体公式为：Rs = U/I *4.532= rs_ pplusi （i=1，2，3，4） P+附录二：PCM P+/N+范德堡测试方法：PPLUS RES=（rs_pplus1 + rs_pplus2 + rs_pplus3 + rs_pplus4) / 4 即即:PPLUS RES 是所测四组值的平均值是所测四组值的平均值：IF MAX(rs_pplus1 ； rs_pplus2 ；rs_ppl
14、us3 ； rs_pplus4 ) MIN(rs_pplus1 rs_pplus2 ； rs_pplus3 ； rs_pplus4 )X1.5 ， RATIOMAXMIN 则则 PPLUS RES=0即：如果所测四组值中的最大值大于最小值的即：如果所测四组值中的最大值大于最小值的.倍倍(RATIO1.5)， 那么那么PPLUS RES 被赋值为被赋值为 2. 主要涉及产品有主要涉及产品有SG5306和和SG6827(NFOX0.8*20Vtf 测试值都在测试值都在10.2V左右左右),比正常比正常 均值低均值低1V以上以上)10.2V1. 异常起因异常起因: 3月产品月产品Owner反映反映6
15、S05SPSM-ST0100 NFOX 0.8X20 VTF SPC不达标不达标VTFOX测试问题VTFOX测试问题1. SG5306 （SPC异常值产品）异常值产品） NFOX VTF调用调用Vtfox测试子程序测试子程序2. SG6827 （SPC异常值产品）异常值产品） NFOX VTF调用调用Vtfox测试子程序测试子程序3. HL0548 （SPC正常值产品）正常值产品） NFOX VTF调用调用Vgsearchn测试子程序测试子程序分析：分析： SPC TREND CHART异常点涉及的两个产品异常点涉及的两个产品 SG5306和和SG6827，都调用，都调用Vtfox测试子程序，
16、测试子程序，且且G、D调用同一调用同一PAD（第（第5PAD），），S是第是第7PAD，B是第是第8PAD。 而其他正常产品（如而其他正常产品（如HL0548）调用）调用Vgsearchn测试子程序，测试子程序， G(6)、D(5)、S(7)，B(8) 。VTFOX测试问题1. SG5306_NFOX gds2. SG6827_NFOX gds3. HL0548_NFOX gds分析：分析： 从从GDS的实际结构来看，的实际结构来看，SG5306和和SG6827场管与场管与HL0548类似，类似，G、D并未短接。并未短接。VTFOX测试问题Vgsearchn子程序：子程序：程序算法：二分查找法；测试机理是Vd=5V, Vg扫描，S、B接地，Id=1uA时的Vg。用于测试正常结构的场管Vtfox子程序：子程序：程序算法：线性查找法；测试机理是G、D同步扫描电压，S、B接地，Id=1uA时的Vg。可测试正常结构的场管或者或者G、D短接的特殊场管。短接的特殊场管。DGSTDGSTVTFOX测试问题Vtfox的渊源：针对G、D短接的“特殊”场管 针对这种针对这种G、D短接的场管只能使用短接的场
