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1、半导体分立器件命名方法编制说明西安卫光科技有限公司2020.3.6半导体分立器件命名方法编制说明一、任务来源依据陕西省市场监督管理局下达的2019年军民融合地方标准制订计划项目的通知”（陕市监函（2019）302号）进行该标准的编制，该项目编号为：SDBXM12-2019,标准名称：半导体分立器件命名方法。起草单位（项目承担单位）：西安卫光科技有限公司协作单位（项目参与单位）：中国航天科技集团有限公司第九院第七七一研究所陕西华茂电子科技有限责任公司主要起草人：王嘉蓉、安海华、刘建军、姜伟、赵辉二、制定标准的必要性和意义1、半导体分立器件产品命名的现状：1）、产品门类、种类繁多半导体分立器件由于
2、承担电流转换、电路开关以及电路控制的功能而在所有电器中必不可少，是所有电路中无可替代的存在，因此产品门类、种类繁多。因此，要准确区分、定义这些数以万计的产品，既不重复也不遗漏，命名是唯一的方法。2）、生产企业不胜枚举半导体分立器件由于使用广泛、品种繁多，相应的生产企业也是不计其数，而这些企业因自身产品特点，用户需求及企业历史等原因，对产品的命名各自为政，不同企业生产的相同或相近的产品，名称完全不同，这给采购、使用方法造成极大的不便和困扰，严重影响行业市场的发展。3）、新产品的命名处于空白状态近年来，随着新材料、新工艺、新技术的迅猛发展，半导体分立器件产品门类、产品种类不断拓展。新材料方面：目前
3、，国际上半导体技术领先的国家都在如火如荼的研制生产宽禁带半导体材料（如SiC,GaAs等），这些宽禁带半导体材料产品，虽然国内起步较晚、发展速度不及国际先进水平，但也有可喜的成果，我公司在这方面也取得了突破性的进展，并形成供货。新产品方面：IGBT目前是半导体器件方面最先进的产品，没有之一。它以现有功率器件无可比拟的高压大电流、高速开关的特点被列为国家“02专项”的重点扶持项目。同时，它以小到家电、大到飞机、舰船、交通、电网等战略性产业的广泛应用，被称为电力电子行业的“CPU”。各类功率模块更是分立器件领域发展的方向和趋势，模块以其集成度高、体积小、重量轻、可靠性高等特点，逐渐替代传统的单一功
4、能的器件。半导体技术发展快速的国家如美国、日本、德国等，在这些新材料、新产品方面研制开发较早，产品已经比较成熟，产品命名非常系统，市场占有率极大，而我国目前在这些产品命名方面尚处于空白状态，在国际上几乎不具有竞争力。4）、现有国标GB249半导体分立器件命名方法，虽然已将1989版修订为2017版，但内容变化不大，其科学性、系统性、全面性、规范性都有待提高，不能有效的指导研制生产方的产品命名工作、规范统一半导体分立器件供货市场，起到引领行业发展的作用。2、半导体分立器件命名存在的主要问题：1）、从GB249-89颁布至今的30余年间，发展出了无数的新产品、新工艺、新技术产品，但新改版的GB24
5、92017并没有将之包含在内。2）、改版后的规范并没有解决场效应晶体管材料的区分问题，与国外同类产品命名相比，太宽泛、太笼统，用户无法通过产品名称一目了然的了解产品关键指标，既不利于企业自身产品型号管理，更不具有市场竞争力。3）、二极管门类没有体现普通整流、快恢复、软快恢复、超高压等产品的区别，这几类产品统一用2B命名，但其实在电路中的作用完全不同。国外同类二极管产品的命名划分非常细致，目前的GB249与国外命名方法差距较大。4）、GB249虽然颁布30余年，但普及率和使用率并不很高，军品供货由于有严格的供货流程控制，产品命名比较规范，使用GB249较多。民品供货方面，由于我国标准工作起步很晚
6、，但发展很快，形成了国标、行标、企标并存的现状，所以在民品产品命名中，有沿用行标、企标的，也有执行国标的，造成同一产品不同企业名称不一致,同一名称在不同企业对应的是不同的产品的混乱状态。3、国外半导体分立器件命名的情况：国外军用半导体分立器件命名，依据的是正DEC（微电子行业固态技术协会）命名方法。因该方法是针对整个微电子行业的，涉及到分立器件的，只是很少一部分，因此也存在命名方法笼统、模糊的问题。国外民用半导体分立器件命名，大多是各个大的企业自行建立命名方法（如IR公司、威土公司、英飞凌等），因这些企业都是各个产品门类的国际顶尖企业，市场占有率极高，他们的命名方法比较规范、全面、系统、详细，
7、因此他们的命名方法被采用、被认可的程度很高。4、制订半导体分立器件命名方法的必要性：为解决现有GB249中存在的问题，针对半导体分立器件命名的现状，整合我省地方资源，与国际先进命名方法接轨，提高我省半导体分立器件的竞争力，扩大市场占有率，加速新材料、新工艺、新技术的普及和推广，规范产品管理，制订半导体分立器件命名标准,是我省半导体行业发展迫切的需求。三、主要起草过程2019年5月15日接到陕西省市场监督管理局的（陕市监函（2019）302号）文件后，起草单位（项目承担单位）西安卫光科技有限公司牵头，成立了标准起草工作组,工作组成员由起草单位和协作单位（项目参与单位）的产品设计、生产、检测试验、
8、市场应用等骨干技术人员组成，工作组成员全部具有高级及以上专业技术职称。2019年5月完成标准初稿的编制。2019年5月完成标准初稿的意见征求及征求意见汇总。2019年6月完成标准修改形成送审稿。2019年6月完成送审稿的查新工作。四、制定标准的原则和确定标准内容的依据1、制定标准的原则是完善GB249的规范性、全面性、系统性、明确性，解决GB249普及率低，产品命名混乱的状态。1）本项目标准与GB429-2017半导体分立器件命名方法对比:、GB249并未包含IGBT、功率模块等产品的命名。、GB249并未对场效应晶体管材料的进行区分，不论P型材料、N型材料、硅材料、SiC材料都用CS命名，也
9、没有体现出电流、电压等用户关注的主要指标。、GB249并未对二极管门类中的现普通整流、快恢复、软快恢复、超高压等产品进行区分。、GB249中缺少达林顿管、双向二极管、压敏二极管等传统产品的命名。、GB249中对复合管、阵列等类产品的命名不够细化。本项目标准将解决以上问题，形成系统、全面、详细、规范、科学的命名方法。2）、本项目标准与国外标准的对比：国外没有统一的半导体器件命名方法标准，基本是各大企业自行建立命名方法。2、本项目标准内容主要依据：依据半导体行业的技术发展现状，市场需求以及现有GB249半导体分立器件命名方法的内容进行该项目标准的制订。五、主要条款的说明论述1、标准第1部分，明确了本标准的适用范围。2、标准第2部分，明确了本标准的型号组成原则，规定了型号每部分的基本意义。3、标准第3部分，明确了本标准的型号组成部分的符号及其意义，详细规定了型号每部分型号组成部分的符号及其意义，并给出示例。六、重大意见分歧的处理依据和结果由于本项目标准所依据的是行业内的共识，因此在专业技术领域不存在重大分歧。七、实施标准的措施建议本标准是军民融合的通用标准，解决半导体分立器件命名方法中存在的问题，形成系统、全面、详细、规范、科学的命名方法，在军、民两领域都有广泛的应用需求。因此在标准实施时，建议在军、民两领域全面推广和普及。八、其他应说明的事项
