米勒效应的影响.docx

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1、米勒效应的影响:MOSFET的栅极驱动过程,可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容(主要是栅源极电容CgS)的充放电过程;当CgS达到门槛电压之后,MOSFET就会进入开通状态;当MOSFET开通后,VdS开始下降,Id开始上升,此时MoSFET进入饱和区;但由于米勒效应,Vgs会持续一段时间不再上升,此时Id已经达到最大,而VdS还在继续下降,直到米勒电容充满电,Vgs又上升到驱动电压的值,此时MOSFET进入电阻区,此时VdS彻底降下来,开通结束。由于米勒电容阻止了Vgs的上升,从而也就阻止了Vds的下降,这样就会使损耗的时间加长。(VgS上升,则导通电阻下降,从而VdS下降)米勒

2、效应在MOS驱动中臭名昭著,他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应,在MOS管开通过程中,GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值,过后GS电压又开始上升直至完全导通。为什么会有稳定值这段呢?因为,在MOS开通前,D极电压大于G极电压,MOS寄生电容Cgd储存的电量需要在其导通时注入G极与其中的电荷中和,因MOS完全导通后G极电压大于D极电压。米勒效应会严重增加MOS的开通损耗。(MOS管不能很快得进入开关状态)所以就出现了所谓的图腾驱动!选择MOS时,Cgd越小开通损耗就越小。米勒效应不可能完全消失。MOSFET中的米勒平台实际上就是MOSFET处于“放大区”的典型标志用用示波器测量G

3、S电压,可以看到在电压上升过程中有一个平台或凹坑,这就是米勒平台。米勒效应指在MOS管开通过程会产生米勒平台,原理如下。理论上驱动电路在G级和S级之间加足够大的电容可以消除米勒效应。但此时开关时间会拖的很长。般推荐值加0.ICiess的电容值是有好处的。下图中粗黑线中那个平缓部分就是米勒平台。删荷系数的这张图在第一个转折点处:VdS开始导通。VdS的变化通过Cgd和驱动源的内阻形成一个微分。因为Vds近似线性下降,线性的微分是个常数,从而在Vgs处产生一个平台。米勒平台是由于mos的gd两端的电容引起的,即InOSdatasheet里的CrSS。这个过程是给Cgd充电,所以VgS变化很小,当C

4、gd充到VgS水平的时候,Vgs才开始继续上升。Cgd在IilOS刚开通的时候,通过mos快速放电,然后被驱动电压反向充电,分担了驱动电流,使得CgS上的电压上升变缓,出现平台Fig.12.ThegraphofVos(t)1io(t),V0s(t),i(t)whenturnontotl:Vgsfrom0toVth.Mosfct没通.电流由寄生二极管Df.tPt2:VgsfromVthtoVa.Idt2t3:VdS下降.引起电流继续通过Cgd.Vdd越高越需要的时间越长.Ig为驱动电流.开始降的比较快.当Vdg接近为零时,Cgd增加.直到Vdg变负,Cgd增加到最大.下降变慢.t3t4:Mosf

5、et完全导通,运行在电阻区.Vgs继续上升到Vgg.平台后期,VGS继续增大,IDS是变化很小,那是因为MOS饱和了。,但是,从楼主的图中,这个平台还是有一段长度的。这个平台期间,可以认为是MOS正处在放大期。前一个拐点前:MOS截止期,此时CgS充电,VgS向Vth逼进。前一个拐点处:MOS正式进入放大期后一个拐点处:MOS正式退出放大期,开始进入饱和期。当斜率为dt的电压V施加到电容C上时(如驱动器的输出电压),将会增大电容内的电流:I=CdVdt(1)因此,向MoSFET施加电压时,将产生输入电流Igate=Il+12,如下图所示。在右侧电压节点上利用式(1),可得到:Il=Cgdd(V

6、gs-Vds)dt=Cgd(dVgs/dt-dVds/dt)(2)I2=Cgsd(Vgsdt)(3)如果在MOSFET上施加栅-源电压Vgs,其漏-源电压Vds就会下降(即使是呈非线性下降)。因此,可以将连接这两个电压的负增益定义为:Av=-Vds/Vgs(4)将式(4)代入式(2)中,可得:Il=CgdX(1+Av)dVgs/dt(5)在转换(导通或关断)过程中,栅-源极的总等效电容Ceq为:Igate=Il+I2=(Cgd(1+Av)+Cgs)dVgsdt=CeqdVgsdt(6)式中(1+Av)这一项被称作米勒效应,它描述了电子器件中输出和输入之间的电容反馈。当栅-漏电压接近于零时,将会产生米勒效应。CdS分流最厉害的阶段是在放大区。为啥?因为这个阶段Vd变化最剧烈。平台恰恰是在这个阶段形成。你可认为:门电流Igate完全被CdS吸走,而没有电流流向Cgs。当Cgd通过mos放电结束后(即在平台区Cgd先放电然后Vgs给它充电),MOS进入了饱和阶段,Vd变化缓慢。虽然VgS的增长也能够让部分电流流想Cds,但主要的门电流是流向Cgso门电流的分流比:11:12=Cds:Cgs,看看电流谁分的多?呵呵。当mos放电结束后,近似地认为门电流全部流过Cgs,因此:VgS重新开始增长在手册中,Ciss=Cgs+CgdCoss=Cds+CgdCrss=Cgd

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