《ISD4003系列高保真语音录放IC.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《ISD4003系列高保真语音录放IC.docx（6页珍藏版）》请在第壹文秘上搜索。
1、ISD4003系列高保真语音录放IC无需开发系统 3V单电源工作工作电流25-30A,维持电流1 HA高质量、自然的语音还原技术自动静噪功能单片4至8分钟语音录放,4、5、6及8分钟 内置微控制器串行通信接口 多段信息处理 不耗电信息保存100年(典型值) 100,000次录音周期(典型值) 片内免调整时钟,可选用外部时钟4003系列型号与性能对照表型号时间输入采样典型带宽最大段数最小段长外部钟频ISD4003-04M4分钟8.0kHz3.4kHz1200200ms1024.0kHzISD4003-05M5分钟6.4kHz2.7kHz1200250ms819.2kHzISD4003-06M6分
2、钟5.3kHz2.3kHz1200300ms682.7kHzISD4(X)3-()8M8分钟4.0kHz1.7kHz1200400ms512.0kHzISD4003系列工作电压3V,单片录放时间4至8分钟,音质好,适用于移动电话及其他便携式电子产品中。芯片采用CMoS技术,内含振荡器、防混淆滤波器、平滑滤波器、音频放大器、自动静噪及高密度多电平闪烁存贮陈列。芯片设计是基于所有操作必须由微控制器控制,操作命令可通过串行通信接口(SPI或MiCrOWire)送入。芯片采用多电平直接模拟量存储技术，每个采样值直接存贮在片内闪烁存贮器中,因此能够非常真实、自然地再现语音、音乐、音调和效果声,避免了一般
3、固体录音电路因量化和压缩造成的量化噪声和金属声。采样频率可为4.0,536.4,8.OkHZ,频率越低,录放时间越长,而音质有所下降,片内信息存于闪烁存贮器中何在断电情况下保存100年(典型值),反复录音10万次。二、引脚描述电源:(VCCA,VCCD)为使噪声最小,芯片的模拟和数字电路使用不同的电源总线,并且分别引到外封装的不同管脚上,模拟和数字电源端最好分别走线,尽可能在靠近供电端处相连,而去耦电容应尽量造近器件。地线：(VSSA,VSSD)芯片内部的模拟和数字电路也使用不同的地线。几个YSSA尽量在引脚焊盘上相连,并用低阻通路连至电源上,VSSD也用低阻通路连至电源上。这些接地通路要足以
4、使VSSA与VSSD之间的阴值小于3Q。芯片的背面是通过衬底电阻连接到VSS的,在做COB时托盘须接VSS或悬空。ISM003giMlll4:KW KKKiinZZ-PII FoPSS Icsi Iiso V=dICTCJCICICICVHaL VH工 IIDOOT JlQF12 S45678910111213KIrmTlnHrlnnnHlHSIrVlB：VcaJLUl TUTl b 仄IXNISftCIl 9zvcIC-mBlx IinPDIP/SOICISD4003系列TSoP及PDIP、SOlC引脚图同相模拟输入(AXAlN+)这是录音信号的同相输入端。输入放大器可用单端或差分驱动。单端
5、驱动时,信号由耦合电容输入,最大幅度为峰峰值32mV,耦合电容和本端的3KQ电阻输入阻抗决定了芯片频带的低端截止频率。差分驱动时,信号最大幅度为峰峰值16mL这两种驱动方式见图2T4(为ISD33000系列相同)。反相模拟输入(ANAIN-)差分驱动时,这是录音信号的反相输入端。信号通过耦合电容输入,最大幅度为峰峰值16mV,本端的标称输入阻抗为56KQ。单端驱动时,本端通过电容接地。两种方式下,ANAIN+和ANAIN-端的耦合电容值应相同。音频输出(AUDOUT)提供音频输出，可驱动5KQ的负载。片选(SS)此端为低,即选中ISD4003系列。串行输入(MOSl)此端为串行输入端,主控制器
6、应在串行时钟上升沿之前半个周期将数据放到本端,供ISD输入。串行输出(MISO)ISD的串行输出端.ISD未选中时,本端呈高阻态。串行时钟(SCLK)ISD的时钟输入端，由主控制器产生,用于同步MOST和MISO的数据传输。数据在SCLK上升沿锁存到ISD,在下降沿移出ISD0中断(/INT)本端为漏极开路输出。ISD在任何操作(包括快进)中检测到EOM或OVF时,本端变低并保持。中断状态在下一个SPI周期开始时清除。中断状态也可用RINT指令读取。OVF标志一一指示ISD的录、放操作已到达存储器的未尾。EoM标志一一只在放音中检测到内部的EOM标志时,此状态位才置I0行地址时钟(RAe)漏极
7、开路输出。每个RAC周期表示ISD存储器的操作进行了一行(ISD4003系列中的存贮器其1200行)。该信号175m$保持高电平,低电平为25m$。快进模式下,RAC的218.75s是高电平,31.25s为低电平。该端可用于存储管理技术。200ms*-25KIS+-外部时钟（XCLK）：本端内部有下拉元件。芯片内部的采样时钟在出厂前已调校,误差在+1%内。商业级芯片在整个温度和电压范围内，频率变化在+2.25%内。工业级芯片在整个温度和电压范围内,频率变化在-6+4%内,此时建议使用稳压电源。若要求更高精度,可从本端输入外部时钟（如前表所列）。由于内部的防混淆及平滑滤波器已设定,故上述推荐的时
8、钟频率不应改变。输入时钟的占空比无关紧要,因内部首先进行了分频。在不外接地时钟时,此端必须接地。自动静噪（MCP）:当录音信号电平下降到内部设定的某一阈值以下时，自动静噪功能使信号衰弱,这样有助于养活无信号（静音）时的噪声。通常本端对地接1UF的电容,构成内部信号电平峰值检测电路的一部分。检出的峰值电平与内部设定的阈值作比较,决定自动静噪功能的翻转点。大信号时，自动静噪电路不衰减,静音时衰减6dB。1UF的电容也影响自动静噪电路对信号幅度的响应速度。本端接MCCA则禁止自动静噪。三、SPI（串行外设接口）ISD4003工作于SPl串行接口。SPI协议是一个同步串行数据传输协议,协议假定微控制器
9、的SPl移位寄存器在SCLK的下降沿动作,因此对ISD4003而言,在时钟止升沿锁存MOSI引脚的数据,在下降沿将数据送至MlSO引脚。协议的具体内容为：1 .所有串行数据传输开始于SS下降沿。2 .SS在传输期间必须保持为低电平,在两条指令之间则保持为高电平。3 .数据在时钟上升沿移入,在下降沿移出。4 .SS变低,输入指令和地址后，ISD才能开始录放操作。5 .指令格式是（5位控制码）加（11位地址码）。6 .ISD的任何操作（含快进）如果遇到EOM或OVF,则产生一个中断,该中断状态在下一个SPI周期开始时被清除。7 .使用读指令使中断状态位移出ISD的MISO引脚时,控制及地址数据也应
10、同步从MOSI端移入。因此要注意移入的数据是否与器件当前进行的操作兼容。当然,也允许在一个SPI周期里,同时执行读状态和开始新的操作（即新移入的数据与器件当前的操作可以不兼容）O8 .所有操作在运行位（RlIN）置1时开始,置0时结束。9 .所有指令都在SS端上升沿开始执行。（一）信息快进用户不必知道信息的确切地址,就能快进跳过一条信息。信息快进只用于放音模式。放音速度是正常的1600倍,遇到EOM后停止,然后内部地址计数器加1,指向下条信息的开始处。（二）上电顺序器件延时TPUD（8kIlz采样时,约为25亳秒）后才能开始操作。因此,用户发完上电指令后，必须等待TPUD,才能发出一条操作指令
11、。例如:从00从处发音,应遵循如下时序：1.发POWERUP命令等待TPUD（上电延时）;3.发地址值为OO的SETPLAY命令;4.发PLAY命令。察件会从此00地址开始放音,当出现EOM时,立即中断,停止放音。如果从00从处发音,则按以下时序：1 .发POWERUP命令；2 .等待TPUD（上电延时）；3 .发POWERUP命令4 .等待2倍TPUD;5发地址值为00的SETREC命令；6 .发REC命令。器件便从00地址开始录音,一直到出现OVF（存贮器末尾）时,录音停止。指令表指令5位控制码Vll位地址操作摘要POWERUP(X)10(XXXXXXXXXXXX上电:等待TPUD后器件可
12、以工作setplay11100从指定地址开始放音。必须后跟PLAY指令使放音继续PLAY111l(XXXXXXXXXXXX从当前地址开始放音（直至EOM或OVF）SETRECl()100从指定地址开始录音。必须后跟REC指令录音继续RECIOHo从当前地址开始录音（直至OVF或停止）SETMC1110KA10-A0从指定地址开始快进。必须后跟MC指令快进继续MCIllll执行快进,直到EoM.若再无信息,则进入OVF状态STOP0X110停止当前操作STOPWRDN0X01x停止当前操作并掉电RINT()X110读状态QVF和EOM注：快进只能在放音操作开始时选择。（四）SPI控制寄存器SPI
13、控制寄存器控制器件的每个功能,如录放、录音、信息检索（快进）、上电/掉电、开始和停止操作、忽略地址指针等。详见下表：位值功能位值功能RUN10允许/禁止操作开始停止PU10电源控制上电掉电P/-R10录/放模式放取录IAB10操作是否使用指令地址忽略输入地址寄存的内容使用输入地址寄存的内容MC10快进模式允许快进禁止P9-P0A9-A0行指针寄存器输出输入地址寄存器注：IAB置O时,录、放操作从A9-A0地址开始。为了能连贯地录、放到后续的存储空间,在操作到达该行末之前,应发出第二个SPl指令将IAB置I,否则器件在同地址上反复循环。这个特点对语音提示功能很有用。RAC脚和IAB位可用于信息管理。SPl端口简单框图如下：
