《半导体紫外发射二极管第2部分芯片规范_SJT11818.2-2022.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体紫外发射二极管第2部分芯片规范_SJT11818.2-2022.docx（19页珍藏版）》请在第壹文秘上搜索。
1、ICS31.260CCSL53中华人民共和国电子行业标准SJ/T11818.22022半导体紫外发射二极管第2部分:芯片规范SemiconductorultravioletemittingdiodesPart2:Specificationforchips2023-01-01 实施2022-10-20发布中华人民共和国工业和信息化部发布目次前言引言IIIIV2345678范围1规范性引用文件分类和型号命名.技术要求.检验方法.检验规则.1标识、1125711U-A-刖三本文件按照GB1.1-2020标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则的规定起草。本文件为SJ“11818半导体紫外发
2、射二极管的第2部分。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中国电子技术标准化研究院（CESD归口.本文件起草单位：厦门市三安光电科技有限公司、三安光电股份有限公司、中国电子技术标准化研SJfT11818半导体紫外发射二极管拟由三部分构成:第1部分：测试方法；第2部分：芯片规范；第3部分：器件规范。半导体紫外发射二极管第2部分：芯片规范1范围本文件规定了紫外发射二极管芯片（以下简称芯片）的分类和型号命名、技术要求、检验方法、检 验规则、以及标识、包装、运输和储存。本文件适用于峰值波长200 nm400 nm的紫外发射二极管芯片制造和使用。峰值波长400
3、 nm420 nm紫外发射二极管T2规范性引用文件1批检验抽样计划U气候试验方切强度（IEC3术语和3.23.3卜电路总燔苞,M 19部中功率芯片 middle power chip输入功率不小于100 mW,且小于1 000 mW的紫外发射二极管芯片。霸技部分：分立器件照60749- 19GBSJZr2() IX()09T012129f9, IDT4 58里 If-20061937.2018紫外发射二 可发射峰值3. 1780:1997, MO绩：试验方法期J部分：按接收a Iw%；下列文件中的 仅该日期对应的范性引用而构成本文件必件；不注日期的引用文件，其最新湛中，注日期的引用文件, 的修
4、改单）适用于本文件。GBrrGB,GB(ISO 28GBGBGB 3N)3HIK界定的以及下列术语和定义适用于本文件。traviolet emitting diode chip大功率芯片POWC输入功率不小于1 000k：温(AQL3.4小功率芯片lowerpowerchip输入功率小于100mW的紫外发射二极管芯片。4分类和型号命名4.1 分类4.1.1 按芯片输入功率大小分为：大功率芯片、中功率芯片、小功率芯片.4.1.2 按芯片结构分为：正装芯片（包含水平结构和垂直结构）、倒装芯片。4.1.3 按芯片峰值波长划分为：长波紫外芯片（UV-A）、中波紫外芯片（UVB）、短波紫外芯1片（UV-
5、C）.4.2 型号命名芯片型号包括（但不限于）输入功率代号、尺寸代号、结构代号、电极材料代号、波段代号、波长跨度代号、辐射功率代号、正向电压代号等部分，表示形式如下:第1部分：表示输入功率代号。示例：紫外大功率发光二极管芯片型号命名示例.输入功率大于1W,芯片尺寸为40milX40mil工艺为垂直芯片、金电极材料、起始波段为280nm、波长蹲度为10、福射功率范围为20OmW220mW、正向电压为5.5V的产品型号为，U0VU-280JW09U型号中各要素的含义如下：1.大功率芯片；40芯片尺寸为40milX40mil：V垂直芯片结构：U电极材料代码：280起始波段代码；J波长踞度为10；W0
6、9辐射功率范国为200mW220mW；U正向电压5.5V.5技术要求5.1芯片尺寸5.1.1尺寸示意图5.1.1.1正装水平结构芯片的示意图图1为正装水平结构芯片的尺寸示意图。5. 15. 1a）芯片正视图b）芯片侧视图图3倒装芯片尺寸示意图5. 12尺寸参数芯片尺寸参数应符合表1的规定，具体产品尺寸规格值应满足产品图纸的要求。表1芯片尺寸参数参数符号芯片长和宽LW芯片厚度H电极尺寸正装水平结构芯片D1（P或N电极）Di（P或N电极）正装垂直结构芯片ab（P电极）倒装芯片6X瓦（P或N电极）a2bt（N或P电极）5.2外观5.2.1芯片缺陷芯片不应有明显的缺损、裂纹、划伤、脏污及气泡。5.2.
7、2金属化表面芯片的金属化表面应符合下列要求：a）电极表面应均匀、无变色；b）电极表面不应有鼓泡、缺失等现象；c）电极表面刮伤深度不应露出底材。5.2.3隔离槽（适用时）芯片P、N区之间的隔离槽不应有多余的金属。5.2,4衬底面衬底面不应有裂纹，透过显微镜不应看出明显的外延缺陷。5 .2.5镀层缺陷镀层脱落面积不应超过镀层面积的10%。6 .2.6多余物芯片表面附着的多余物不应超过芯片面积的10%。5.3绝对最大额定值芯片的绝对最大额定值应符合表2的规定。表2芯片绝对最大额定值参数符号数值单位最小最大贮存温度%-40100焊接温度（规定最长饵接时间和最多焊接次数）Tild-340IO3S次结温一
8、145反向电压Fr5-V环境温度Jb在25C下的正向电流加按产品规格书（图纸）要求mA5.4光电特性芯片的光电特性应符合表3的规定。表3芯片光电特性参数符号条件除非另有规定，db=25P最小值最大值单位正向电压UV-AVr/F按产品规格书（图纸）规定3.05.5VUV-B4.28.0UV-C反向电流IR外按产品规格书（图纸）规定一1.0A辐射通量虹/F按产品规格书（图纸）规定按产品规格书（图纸）要求mW峰值波长UV-ANp/F按产品规格书（图纸）规定315400nmUV-B280315UV-C2002805.5环境适应性5.5.1剪切强度按6.5.1进行试验，芯片剪切力应符合GB/T4937.
9、192018的规定。5.5.2温度循环按6.5.2进行试验，试验后性能应符合表8中Cl分组的要求。2 .6电耐久性5 .6.196h电耐久性按6.6.1进行试验，试验后性能应符合表7中B2分组的要求。5.6. 21OOOh电耐久性按6.6.2进行试验，试验后性能应符合表8中C2分组的要求。6检验方法.1.1 测试条件1.1.1 标准大气条件除另有规定外，测试标准大气条件如下：a）温度：20-30；b）相对湿度：45%75%;c）气压：86kPa106kPa.1.1.2 测量设备测量设备的要求应符合SOT113992009中4.3的规定。1.2 芯片尺寸选用适用的测量显微镜测量芯片尺寸、芯片厚度
10、和焊盘尺寸。1.3 外观芯片应在不低于ISO8级的净化环境及有相应级别静电防护条件的环境中进行目检。所需设备包括具有20倍40倍放大倍数的光学仪器和作为目检判据的标准样品或图样、照片等，使操作者能对被测芯片的接收与否做出客观的判断。此外还需要采用有利于芯片检杳而又不使芯片受到损伤的合适夹具。1.4 光电特性6. 4.1正向电压6. 4. 3. 2 倒圣在额定反向电压条件下，芯5. 4进行测试。在额定正向/法:： ：&? 尊Cz 武回路。正对秘量芯片的辐射枳56. 4.3辐射通量6.4. 3.1正装芯片a) b)在额定正向电流条件下，芯片的正向电压按SJb 11399-2009中5. 2进行测试
11、。6. 4. 2反向电流光纤图4倒装芯片辐射通量测试示意图倒装芯哪匾就7. 4.4峰值波长在额定正向电流条件下，芯片的峰值波长按SJ113992009中6.4进行测试。6.5环境适应性6.5.1 剪切强度将芯片焊接在承载基板上，使裸露（未灌胶）的芯片形成导电和导热通路。剪切强度试验按GB4937.192018中的规定进行。6. 5.2温度循环将芯片采用八封装或按供需双方商定的条件封装后，按GB2423.222012中的试验程序进行试验。6.6电耐久性6. 6.196h电耐久性将芯片外封装或按供需双方商定的条件封装后，按6.4的方法测量光电特性的初始值，然后再施加规定的电流，工作到96h试验完毕
12、；在2h内对被测样品的正向电压、反向电流、辐射通量、峰值波长进行测试。7. 6.21000h电耐久性将芯片7。封装或按供需双方商定的条件封装后，按6.4的方法测量光电特性的初始位，然后再施加规定的电流，工作到IoOOh试验完毕；在2h内对被测样品的正向电压、反向电流、辐射通量、峰值波长进行测试。7检验规则1.1.1 检验分类本文件规定的检验分为：a）筛选；b）鉴定检验；c）质量一致性检验。7.2 批的组成7.2.1 晶圆批从晶圆加工开始，经受同一组工艺过程的晶圆构成一个晶圆批。每个晶网批应给定一个能追溯到所有晶网加工步骤的识别代码。7.2.2 检验批一个检验批由同时提交检验的一个或多个晶圆批中
13、同一型号的芯片组成。7.3 抽样鉴定检验和质量一致性检验的抽样应按GBZT2828.12012的规定进行。除另有规定外，质量一致性检验中A组检验Al分组为全检，A2分组按GB/T2828.12012-般见于水平IR正常检验二次抽样方案，接受质量限（AQL）只为0.065进行。7.4 重新提交当提交质量一致性检验的任一检验批不符合要求时，应进行失效分析并确定失效机理。如确认该失效是可以通过对整批器件重新进行A组检验而有效剔除的缺陷；或者该失效并不反映产品具有基本设计或基本生产工艺问题的缺陷，则允许对该分组采用加严检验（按双倍样品量及合格判定数为零的方案）的方法重新提交一次，重新提交的批不得与其他的批相混。如果失效分析表明失效是由于基本工艺程序不良、基本设计缺陷或是无法通过筛选剔除的缺陷，则该批不得重新提交。7.5 筛选在提交鉴定检验和质量一致性检验前，检验批的全部芯片应按表4的规定进行100%测试筛选，筛选可在晶圆上进行，对不符合要求的芯片进行标识，并在芯片分尚时剔除。剔除的芯片不能作为合格产品交货。表4筛选7.6鉴定检验7. 6.1鉴定检验项目鉴定检验批应由承包1.5 倍。检验项,不鉴定检验项目而鉴定检验所需要样品数量的:。其他组用样品必须首先通过T双表5鉴定检验1组芯片尺寸外观I2蛆I特性测试正向电用反向电6.26.46.目YooCIOO
