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1、1.2影响因素和优化方法1.2.1 影响因素MOS影响因素多，考虑三网元、两管道，须要端到端拉通优化，无战+承我M性能是影响MoS指标的关键因素。具体如卜图所示：中口江道:承叔网管道aTit遥理沈浪提干劭两管道!终湍耗力INi站设品状态1KW谆1底利m转拱IS.Jht*O三网元通话中语书包的包率、时延、时延抖动、切换等,会影响到MOS分。因此，在MOS分折中，须要从这些指标方面分析对MOS影响.语音质fit端到端各网元影响分析:设备彩看因素终端硬件性能.参数设T1.软件限制、测试软件影响空口参数配汽，话务容量受限，徵靛差，外部干扰，切换异样，版本问题eNode8参数配置,工程格误，荔站异样，版
2、本问造承载网参数配置容址或实力限制.传部防砥问跑CN参数配置路由北世1.2.2 终端侧影响终端实力：是否支持VO1.TE,SRVCC.终端性能受限、兼容性等同胞导致MOS分何咫发生.语音编码VolTE语音业务的编码为终端之间协商结果，一般为WB23.85KIiIfllJVo1.ir支持的主要语讦编码类型：/AMRWB.包括从6.6K-23.85K的9种速率：/AMRNB：包括从4.75K12.2K的8种速率；JG.711编码：支持64K的PCM码流，3. 干扰影响上行干扰干脆影响上行去包，从而影响MOS值,依据小区受干扰水平分析MOSffi小区每RB平均干扰电平值改变分布如下图,可见平均每RB
3、F扰电平值大于-IOWBm时，MOS分恶化较为明显”/查看MoS分低点区域TOP小区的上行干扰语统数据.假如=-IO5dBm,则初步推断很有可能存在上行干扰：/DT测试kg中，查看终端上行放肝功率是否存在大福提升（表现为整网路测Iog的UE放射功率分布中,满功率比例明显增加，例如满功率比例增加15%以上）.并且M2000上的上行接收SlNR水平降低,当两者同时涵意时，可以断定存在上行十扰，须要迸行干扰排查：4. 切换事务影响分析路测数拉;,确认低分点评分周期内是否有切换慢、切换版繁、切换失败、CSRVCC切换或掠话等，从而确认切换是否为V数低分的缘由,系统内切换过程中对MOS有影响：系统内切换
4、对HOS值并不肯定影响特别大，RSRP岐好地方切换MOS值下降0.10.5.而乒乓切换影响较大.MOS值下降O.51.5分.路测工具间隔IOS采集一次MOS佗10S平均值），钱如采集到切换过程的MOS,测试结果就会儡低,在分析路测数据时，须要关注低MOS区域是否有切换或者兵乓切换发生。/ 切换失败影响,UE收到切换吩咐后/；动T3O4（系统内5（XhlK：到GERANSo（Xhns）,定时器切时，仍旧没有完成切换，UE恻丢弃切换吩对电边携带的专用Preamble.复原小区的晚来配置,发起重建，重建期间的MOS一降低到15左右./ UE语音评估算法运用PO1.QA算法进行评估，主要是用来评估WB
5、的,而2G是过于NB的，用这种算法评估2GMOS值是不合适，MOS位下降1.5-2.0分,影响较大；如下图所示SRVCC到2G后MOSf：Dlaoo4twAYukwqiI.IMICSOACaAvAUCURI0tmiiWtWAYAX4OtF.U1.MM)HtWAYKT_CkFVCWTFU1.lf*lM*O.4yAU01；p*VCAjaucfM句I.*,VOGCMZHAYAbgIIBDlFIiOS-OMtWAYAUC0tRTF1di7)T，J.，、11,/,.(U1.r*OOWCWAYAV3TP)O1.PttOSOMtWAYAUCTF)U1.C;1AU仙03H3,IHsx*vrFtt:ZVC,ZA
6、Mcmmtw5cxUE的E2E透传,在话音流的探针聚泉节点都可以完成RTCP消息的获得，分段的IPMOS和分段的单通是依据RTP消息统计的，及示的戒限为UE到RTP消息的采集节点.对于Vo1.TE与2/3G、CSFB或齐PSTN”:通场亮，端到端的MOS和端到端的单通是依据RlCP消息统计的,具有发送KICP的报文的网元包括Vo1.IEI)H的UE和CS域的MGW.端到前范围实际为VbITE的UE到CS域的MGW.分段的IPMOS和分段的单通是依据RTP消息统计的，表示的范用为UE或者CS域的MGW到RTP消息的采儿节点.对于VoITE与VOBB互通场景，与2/3G互通场景类似,具有发送RTC
7、P报文的网元为VoBB侧的SBC湘到端测M指标表示的范围为UE到VBB侧的SBC,分段於录指标表示范因为UE或者VoBB测的SBC到RTP消息的采集节点Mo1.TE语音呼叫关犍测Ift点.以Sl-U接1-1为例:ItrH接心力向Po.T4T5T1：T（或皆应瞽加fc的品个RTPlt支时睥RtT2：按收力如就个?A奴的“阳.收到发送方向的RTCP奴工.N期升蛤同人于烟助於小时氏：W长时.wmfA.T3.发处方向笫个豺小的“M，干松到或以方向的R13我文,THl叼困期开期“川大丸叱期他小因长,或#到K阳期M大明长时冏期结京,U.接收万句破I个用则他起始“何敏T6O.；：T6：报牧力个RTP长丈的H
8、m阳T7：发这力加於tRTP我丈俯川，gT5,”色方向Ml；个期的起始“划能对于呼叫过程中没有RTCPm文的呼叫，无法做RTCP的周期测量，语音流的CDR的MOS和依据RTCP得到的单通记录为依对于不满意破小测僦周期的呼叫（即短呼,无法做计算周期性测知.语音流的CDR的MoS和依据RTCP得到的总通记录为0。注:周期Jft小时长默认45秒（可配置）、周期G大时长我认10.5秒（可配JI）语音质量关犍测量信息如下表:TmWIfT，量,述端到端的指标,衣示本端发送的语音质fit状况。从应答起先到呼叫结束,周期性对接收方向RTCP报文计W,依据E-MO加1模里计算得到周期上行MOS上行MOSJiJt
9、fi每周期上行MOS的均值下行M。S均值衽周期卜行MOS的均值端到端的指标,表示本端接收的语音质盘状况.从应答起先到呼叫结束,周期性对发送方向RTCP报文计算.依擀E-MOdel模型计算得到周期下行MOS上行IPMOS均值每周期上行IPMOS的均值分段指标，表示本端到采集节点发送的语音防fit状况.从应答起先到呼叫结束,周期性对发送方向RTP报文计算,依据E-MOdel模型计算得到冏期上行IPMCS下行IPMoS均值每周期下行IPMoS的均值分段指标.表示对端到采集节点接收的语音质依状况.从应答起先到呼叫结束，周期性对接收方向InP报文计算.依擀E-MOdel校型计算得到周期下行IPMOSRT
10、P上行单通时长单通周期的时长累计值分段指标,表示本篇到采集节点发送的谐音单通状况.从应答起先到呼叫结束,周期性对发送方向RTP报文计算,依据单通模型推断周期是否发生单通，并且记录持续时长RTP下行单通时长单通周期的时K累计值分段指标，表示对端到采集节点接收的语音单通状况.从应答起先到呼叫结束,周期性对接收方向RTP报文计算,依据单通模型推断周期是否发生单通,并且记录持续时匕RTCP上行单通时长单通周期的时长累计值端到娴的指标,表示本端发送的语音单通状况。从应答起先到呼叫结束，周期性对接收方向RTCP报文计算.依据圆通模里推断用期是否发生单通,并旦记录持续时长RTCP下行单遇时长单通周期的时K累
11、计值端到券的指标，衣示本常接收的语音单通状况.从应答起先到呼叫结束,周期性对发送方向RTCP报文计算,依据单通模型推断周期是否发生单通,并且记录持续时长RTCP上行包上通话过程累计依从应答起先到呼叫结束.对接收方向的RTCP报文计算,依据报文中的公大包序号和发送方向的RTP报文包序号得到RrCP上行丢包效通话过程墩计值从应答起先到呼叫转束，对接收方向的Rra报文计算,依据报文中的梁计丢包数得到RTCP下行包数通话过程累计值从应答起先到呼叫结束,对发送方向的RTCP报文计W.依据报文中的最大包序号和接收方向的RIP报文包序号得到RTCP卜行丢包数通话过程累计依从应答起先到呼叫结束,对发送方向的K
12、TCP报文计匏,依据报文中的累计丢包数得到RTP上行包数通话过程累计值从应答起先到呼叫就束，对发送方向的RTP报文包序号计算将到RTP上行丢包数通话过程累计值从应答起先到呼叫结束,对发送方向的RTP报文包卷计不连续（ft计算得到RTP下行包下通话过程累计值从应答起先到呼叫结Jft,对接收方向的RTP报文包序号计算御到RTP下行包数通话过程累计值从应答起先到呼叫结束.对接收方向的RTP报文包JK计不连域值计算得到3 .Vo1.TE语音质问题定界原理本文档的定界是针对W1.TE与VoUTE互通、W1.TE和C4lPSTN/VOBB通场景,W1.TE呼叫恻语音质量何超的定界。不包括未部署支持Vo1.
13、TE语音质量分析的M）1.TE呼叫侧、CSfPSTNNOBB的定界分析.本文档是时基于垠接IItrjiH音质Iit问起进行定界分析.探针系统支持EPC域和IMS域语音承我面的来柒，典法探针部哲的接口有：Sl-U.Mw,Gnu对于多个接口联合分析，可参考单接口的定界原理进行联合定界分析.探针系统支持Vo1.TE谙音呼叫运用a11r-wb和amr类型的编解码的MoS测IiK当Vo1.IE请书呼叫的终端或制元（如SBC、IM-MGW等）支持RTeP信息时,除RTP分段测量统计外，还可做UE到UE或者UE到网元的测量统计;否则，依据RTP信息做分段测舟统计.3.1 质差MoS定界原理对单接口单据的不同
14、节点的MOS进行有效性识别和差值计算依据不同接口的MOS差伯和MOS所去示的测信范围，确定质差MOS的引入范困，3.2 单通问题定界原理对电通结果进行有效性识别,依据不同接口的是否发生单通标的差异与单通指标代我的刈依他国.确定垠通问时的引入范围.4 .单接口定界方法4.1 上行质差MoS定界单接口上行质第MOS定界流程如卜图;图4-1维接口上行质差MOS定界流程 第一步：推断上行MoS和上行IPMoS的有效性.当上行MOS大于0,则上行MOS有效，否则上行MOS无效：当上行IPMoS大于0,则上行IPMOS有效，否则上行IPMoS无效. 其次步：推断上行MOS或者上行IPMOS是否质差运用上行MoS推断质差,当上行MoS无效时，运用上行IPMoS推断，方法：当上行MOS有效,并且上行MoS小于防差阈值（注择1）.则上行MOS质差,否则上行MOS非质捻当上行MOS无效时,并且上行IPMOS有效,并且上行IPMoS小于质差网值（注择I），则上行IPMOS质差,否则上行IPMoS非质差。对于非质差的上行MOS和上行IPMoS,不须要定界分析. 第三步：对质差呼叫的据做分段MoS损失计算聚集接
