《声光控延时开关.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《声光控延时开关.docx（11页珍藏版）》请在第壹文秘上搜索。
1、*大学课程设计说明书设计题目声光控延时开关专业姓名学号指导教师2012年1月6日科技楼211时间2023年12月26日柚P2023年1月6日地课程设计内容1.功能与技术指标：声光双控延时开光不仅适用于住宅区的楼道，而且也适用于工厂、办公室、教学楼等公共场所，它是公共场所照明开关的理想选择，被人们誉为“长明灯的克星。本课题设计的是一个灵敏度较高的声光控制开关，行人只要拍个巴掌就能电路触发，将电灯翻开。其功能是在白天，电路总是关断。在黑暗条件下，电路处于等待工作状态，当有声音出现时（或有人经过），可控硅导通，驱动灯泡发光，并开始进入延时状态，一段时间后可控硅自动关断，灯泡熄灭，节电环保。系统直接接
2、入市电。要求以白炽灯作为控制对象，带负载能力：小于6OW,平均延时时间30秒-60秒。2原理框图图I原理框图设计思想：白天或晚上光线较亮时，光控局部将开关断开，声控局部起不了作用。当光线较暗时，光控局部将开关自动翻开，负载电路的通断受控于声控局部。电路能否接通就看声音信号强度。当声音强度到达一定程度时，电路自动接通，白炽灯点亮，并开始延时，延时时间到开关自动关闭，等下一次声音信号触发。元件选择：MIC用驻极体话筒，RG用一般光敏电阻即可，UI用一片低工耗COMS四与门电路CD4081,Ql用9014低频管，放大倍数越大灵敏度越高，D5用IN4148,C2、C3用电解电容、1）6可选用MCRlO
3、O-6A的单向可控硅，电阻均为l/8w炭膜电阻，阻值按图。D1-D4用IN4007,反向漏电必须小。电灯的功率25叽3.电路图图三实验电路仿真图工作原理：电路如下列图，22OV市电通过灯丝、DI-D4、降压整流后，经过Rl限流、R6、C2稳压滤波为电路提供稳定的工作电压。R5、RG组成分压电路，白天由于光照RG阻值变小，Ul脚电位被拉低，由与门的逻辑关系可知此时Ul脚输出为低电平，D5截止后级电路不动作。晚上光线暗RG阻值变大，Ul脚电位升高，如果此时有声音被MIC接收，经Cl耦合Tl放大，在R3上形成音频电压，此电压如高于1/2电源电压，那么Ul脚输出高电平，输出的高电平经D5向C3瞬间充电
4、，使R3输入端接近电源电压，经R6触发可控硅导通，电灯正常点亮。(此时那么由C3向电路供电)如此后无声被MlC接收，那么Ul输出恢复为高电平，C3通过R8缓慢放电，当C3电压下降到低于1/2电源电压时，可控硅(D6)截止电灯关闭，等待下次触发。4 .方案论证整流电路采用桥式整流电路，二极管稳压电路加上滤波电容。可控硅开关起开关作用，非常重要，由这个开关去控制整流电路的工作与否，从而控制灯的亮和熄。稳压电路需8.2V稳定电压，并要求不高所以我们采用它话筒放大为实现声控功能，要设制话筒放大电路，主要是由话筒拾音电路就是把声音信号变为电信号电路，由于声音微小，所以加放大电路）和放大电路组成。光敏控制
5、电路实现光控的功能,可以有光敏电阻来实现。音频放大电路因话筒输出的音频信号小，不能满足检波的需要，设制二极管音频放大电路，倍数几千上万倍。检波电路音频信号是交流信号，不用交流信号控制可控硅，需转换为直流信号，才能控制可控硅，因是小信号，要反映信号的蜂值电路线变化。延迟电路在灯点亮时需要有延迟,检波输出直流电压通过延迟电路是电压消失，保持一段时间，所保持时间的长短由延迟电路的参数决定，实际上延迟电路由RC电路组成，时间常数T=RC,这是可控制电压。控制电路是控制可控硅栅极的开关电路，它的输入由延时端的延时电路送来的电压控制，输出控制可控硅的导通情况。论证方案：声源产生的声音信号，经声电转换器后转
6、换成微弱的电信号，该信号经放大后送处理器处理，处理器将幅度、频率不尽相同的一群声波信号转换成一次状态改变的控制信号，该信号经延时处理电路到达设计要求时间与设计要求功能，经执行机构直接控制负载动作。5 .器件的选择及检测方法Ul选用CmOS数字集成电路cd4081,其里面含有四个独立的与门电路。内部结构见图四，VSS是电源的负极，Vdd是电源的正极。可控硅D6选用单向可控硅Io0-6型，如负载电流大可选用3a、6a、IOa等规格的单向可控硅，单向可控硅的外形如图五示，它的测量方法是：用rXl档，将红表笔接可控硅的负极,黑表笔接正极，这时表针无读数，然后用黑表笔触一下控制极2,这时表针有读数，黑表
7、笔马上离开控制极2这时表针仍有读数（注意触控制极时正负表笔是始终连接说明该可控硅是完好的。驻极体选用的是一般收录机用的小话筒，它的测量方法是：用rX100档将红表笔接外壳的s、黑表笔接d,这时用口对着驻极体吹气，假设表针有摆动说明该驻极体完好，摆动越大灵敏度越高；光敏电阻选用的是625a型，有光照射时电阻为20k以下，无光时电阻值大于K）Olnq,说明该元件是完好的。二极管采用普通的整流二极管IN4007。总之，元件的选择可灵活掌握，参数可在一定范围内选用。在测试时先把指针表满偏同时将指针表打到IK档，其次:用表笔对电容进行放电，在用表进行测试，用红笔接负极，黑笔接正极；最后：看指针的偏转，且
8、还要指针复原，如能复原就说明电容正常，不能回到原位那么说明电容漏电。测试漏电电容方法：用万用表的电阻挡（R*100和R*1K）,将表笔接触电容器两引线。刚接触时，由于电容充电电流大，表头指针偏转角度大，随着充电电流减小，指针逐渐向R=无穷方向返回，最后稳定处即漏电电阻值。一般电容器的漏电电阻为几百至几千兆欧，漏电电阻相对小的电容质量不好。测量时，假设表头指针指到或接近欧姆零点，表示电容器内部短路。假设指针不动，始终指在R=无穷处，那么意味着电容器内部短路或已失效。对于电容量在0.1UF以下的小电容，由于漏电电阻接近无穷，难以分辨，故不能此法侧漏电阻或判定好坏。电解电容器的极性检测：电解电容的正
9、负极性不允许接错，当极性接反时，可能因电解液的反向极化，引起电解电容器的爆裂。当极性标记无法识别时，可根据正向连接时漏电电阻大、反向连接时漏电电阻相对小的特点判断极性。交换表笔前后两次测量漏电电阻，阻值大的一次，黑表笔接触的是正极，因为黑表笔与万用表内电池正极相接（采用数字万用表时，红表笔接电池正极）。但用这种方法有时并不能明显地区分正、负向电阻，所以使用电解电容时，要注意保护极性标记。二极管测试：二极管主要分为三种：整流二极管、稳压二极管、发光二极管；此外，还有开关二极管。先打磨引脚，再用指针表测试，因二极管具有单相导电性，所以，在测试时，红笔接负极，黑笔接正极,假设是导通，且红笔接正极，黑
10、笔接负极，为截止，那么说明二极管是正常的，假设不是那么说明二极管是坏的。注：发光二极管用10K,其它用IK档；发光二极管的光线是非常微弱的，因此，在观察是要仔细。半导体二极管的极性判别一般情况下，二极管有色点的一端为正极，如2AP1-2AP7,2AP11-2AP17等。如果是透明玻璃壳二极管，可直接看出极性，即内部连触丝的一头是正极，连半导体片的一头是负极。塑封二极管有圆环标志的是负极，如IN4007系别。三极管测试：和所有元件一样三极管也要打磨引脚，然后在进行测试。用手拿住元件，用指针表来回测量六次，判断出基极、是PNP型还是NPN型。假设：红笔不动一一PNP型：黑笔不动一一NPN型。如果是
11、NPN型：用手捏住三支引脚，用表笔测试两边引脚，并交换表笔；假设指针偏转较大，黑表笔接的是集电极，另一方那么是发射集。如果是PNP型：步骤与NPN型一样，但当指针偏转较大是，黑笔接的是发射极，另一方那么是集电极。三极管除了判断其管型和极点外，还要判断出它所处的状态，是截止、饱和、还是放大。光敏电阻：先用手拿住两只引脚，使其对着光，然后,用数字表测出值；再用握住使其背光，测出其值。平嘱需禽血斫3 Anode1 Cathode图五单向可控硅的外形图及接法可控硅的原理：可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流，还可
12、以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。晶闸管T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。从晶闸管的内局部析工作过程：晶闸管是四层三端器件，它有JI、J2、J3三个PN结图一，可以把它中间的NP分成两局部，构成一个PNP型三极管和一个
13、NPN型三极管的复合管图二。当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导铜，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门极电流Ig流入时，就会形成强烈的正反应，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为ICl和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik：电流放大系数相应为al=IclIa和a2=Ic2/Ik,设流过J2结的反相漏电电流为IcO,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：Ia=ICI+Ic2+IcO或Ia=alIa+a2Ik+IcO假设门极电流为
14、Ig,那么晶闸管阴极电流为Ik-Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为：I=(IcO+Iga2)/(1-(al+a2)(I-I)硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数al和a2随其发射极电流的改变而急剧变化。当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式(1-1)中，Ig=O,(al+a2)很小，故晶闸管的阳极电流Ia=IcO晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数al,产生更大的极电极电流ICl流经NPN管的
15、发射结。这样强烈的正反应过程迅速进行。当al和a2随发射极电流增加而(al+a2)=三1时，式(I-I)中的分母1-(al+a2)心0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时，流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。式(1-1)中，在晶闸管导通后，1-(al+a2)心0,即使此时门极电流Ig=O,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后，门极已失去作用。在晶闸管导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于al和al迅速下降，当I-(al+a2)=0时，晶闸管恢复阻断状态。6 .局部参数计算：单管放
16、大电路参数的设置：经测试，得知r=164,实测9013的导通电压为Uon=Ube=O.4V,给定电源电压Vcc=+6V.在静态工作的时候，要使三极管发处于放大状态，那么Vce一般取大于2V小于Vcc的2/3。又由于Vce是根据公式VCe=VCC-Vr4-Vr5,Vr4+Vr5=(Rc+Re)*Ice而得，而Ice=(Vr3-0.4)/Re,Vr3=Rb2(Rb2+Rbl)*Vcc先假定Rb2=6.8K,那么有：Rbl=75K,Rc=24K,Re=2K此时,ICe=(Vr3-0.4)/Re=O.ImA,Vce=Vcc-(Rc+Re)*Ice=3.43VVbe=O.4+Ice*Re=0.50V这些参数满足使三极管工作在放大状态。Au的
