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1、第1章常用半导体器件自测题一、判断以下说法是否正确,用“X”和表示判断结果填入空内。(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。()(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(X)(3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。(7)(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。(X)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其Ras大的特点。假设耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,那么其输入电阻会明显变小。(X)二、选择正确答案填入空内。PN结加正向电压时,空间电荷区将A.变窄B.根本不变C变宽(2)稳压管的稳压区
2、是其工作在。A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4)UGS=OV时,能够工作在恒流区的场效应管有A、C。A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管三、写出图TL3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压S=0.7%图T1.3解:UOl=L3匕=0V,=-13V,Uo4=2V,Uos=13V9=-2V四、稳压管的稳压值Uz=6V,稳定电流的最小值/zmm=5A求图TI.4所示电路中UOl和Uoz各为多少伏。(b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故UOk6匕
3、右图中稳压管没有击穿,故Uo2=5V.五、电路如图TL5所示,Vcc=15V,6=100,1be=0.7V试问:(I)Kb=50时,Uo=?(2)假设T临界饱和,那么Kb=?解:(1)s=%l=26A,RbIc=Ili=2.6mA,Uo=Vcc-IcRl=2V.图T1.5(2)VIcs=VdBE=2.86mA,Ibs=ICSIB=28.6AR:.Rb=VBB-UBE=455kCIBS六、测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表TL6所示,它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区),并填入表内。表TL6管号UGS(thVUsVUgVUdV工作状态Tl4-5
4、13恒流区T2-43310截止区T3-4605可变电阻区解:因为三只管子均有开启电压,所以它们均为增强型MOS管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态,如表T1.6最后一栏所示。第2章根本放大电路自测题一 .在括号内用7”和“x”说明以下说法是否正确。1 .只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。(X)2 .可以说任何放大电路都有功率放大作用。()3 .放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。(X)4 .电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。(X)5 .放大电路必须加上适宜的直流电源才能正常工作。()6 .由于放大的对象是变化量,所以当输入直流信号时,任何放大电路的
5、输出都毫无变化。(X)7 .只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。(X)二 .试分析图T2.2各电路是否能放大正弦交流信号,简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。(a)(b)(c)(d)(e)(f)(g)(h)(i)图T2.2解:图不能。Vbh将输入信号短路。图(b)可以。图(C)不能。输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。图(d)不能。晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。图不能。输入信号被电容Cz短路。图不能。输出始终为零。图(g)可能。图(h)不合理。因为GS间电压将大于零。图不能。因为T截止。三.在图T2.3所示电路中,vcc=i2v9晶体管E=IO0,=oom
6、o填空:要求先填文字表达式后填得数。(1)当q=OV时,测得Ubeq=0.7V,假设要基极电流Ibq=20A,那么A和RW之和Rb=(VCC-UBEQ)UBQ)&。Q(565)A。;而假设测得Uceq=6V,那么R,=(VCC-UCEQ)IlBQ)=(3)ZQ0(2)假设测得输入电压有效值4=5mV时,输出电压有效值=06V,那么电压放大倍数4=(-UJUi)(-120)假设负载电阻RL值与R,相等,那么带上R负载后输出电压有效值。“二(t;)=(03)VoRL+凡四、图T2.3所示电路中c=12V,=3AQ,静态管压降UCEQ=6K并在输出端加负载电阻乙,其阻值为3A选择一个适宜的答案填入空
7、内。(1)该电路的最大不失真输出电压有效值Uf)ZM(A);A.2VB.3VC.6V(2)当&=ImV时,假设在不失真的条件下,减小心,那么输出电压的幅值将(C);A.减小B不变C.增大(3)在4=1机V时,将RW调到输出电压最大且刚好不失真,假设此时增大输入电压,那么输出电压波形将(B)tA.顶部失真B.底部失真C.为正弦波(4)假设发现电路出现饱和失真,那么为消除失真,可将(B)AR减小B.R1减小C.Vcc减小五、现有直接耦合根本放大电路如下:A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路它们的电路分别如图221、251(a)、254(a)、2.6.2和269(a)所示;设
8、图中且&、IDQ均相等。选择正确答案填入空内,只需填A、B、输入电阻最小的电路是(C),最大的是(D、E);输出电阻最小的电路是(B);有电压放大作用的电路是(A、C、D);(4)有电流放大作用的电路是(A、B、D、E):高频特性最好的电路是(C):输入电压与输出电压同相的电路是(B、C、E);反相的电路是(A、D)。六、未画完的场效应管放大电路如图T2.6所示,试将适宜的场效应管接入电路,使之能够正常放大。要求给出两种方案。解:根据电路接法,可分别采用耗尽型N沟道和P沟道MOS管,如解图T2.6所示。图 2.6解图T2.6第3章多级放大电路自测题一、现有根本放大电路:A.共射电路B.共集电路
9、C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择适宜电路组成两级放大电路。(1)要求输入电阻为IAO至2A0,电压放大倍数大于3000,第一级应采用(八),第二级应采用(A)。要求输入电阻大于IOMd电压放大倍数大于300,第一级应采用(D),第二级应采用(A)。(3)要求输入电阻为I(M)A02OOA0,电压放大倍数数值大于100,第一级应采用(B),第二级应采用(A)。(4)要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于IoM。,输出电阻小于100O,第一级应采用(D),第二级应采用(B)。设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且IAJ=L100,输出电阻IiKoVlOO
10、,第一级应采用采用(C),第二级应(B)。二、选择适宜答案填入空内。(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是(C、D)A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压不稳(2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是(C)A.便于设计B.放大交流信号C.不易制作大容量电容(3)选用差动放大电路的原因是(A)。A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放大倍数(4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的(A),共模信号是两个输入端信号的(C)。A.差B.和C.平均值(5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻,将使单端电路的(B)。A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模
11、信号能力增强C.差模输入电阻增大(6)互补输出级采用共集形式是为了使(C)。A.放大倍数的数值大B.最大不失真输出电压大C带负载能力强三、电路如图T33所示,所有晶体管均为硅管,“均为200,%,二200,静态时。-7丫。试求:(1)静态时Tl管和A管的发射极电流。(2)假设静态时uo0t那么应如何调节Rc2的值才能使=0?假设静态%=0匕那么Rc=?,电压放大倍数为多少?解:(1)乃管的集电极电流,C3=(Uz卬3)/Re3=03根A静态时A管和4管的发射极电流/目=/碇=。15mA(2)假设静态时uo0,那么应减小KC2。当%=0时%=0,北管的集电极电流cq4=Vee/Re4=0.6mA
12、。42的电流及其阻值分别为:= 0.147M1/ =【C2 B4 =,C2电压放大倍数求解过程如下,rbe2=+(l+)35m图T331EQ2第4章集成运算放大电路自测题一、选择适宜答案填入空内。集成运放电路采用直接耦合方式是因为(C)。A.可获得很大的放大倍数B.可使温漂小C.集成工艺难于制造大容量电容(2)通用型集成运放适用于放大(B)。A.高频信号B.低频信号C任何频率信号(3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的(C)。A.指标参数准确B.参数不受温度影响C.参数一直性好(4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以(A).A.减小温漂B.增大放大倍数C提高输入电阻(5)为增大电压放大
13、倍数,集成运放的中间级多采用(A)。A.共射放大电路B.共集放大电路C.共基放大电路二、判断以下说法是否正确,用“和“x”表示判断结果。(1)运放的输入失调电压So是两输入端电位之差。()(2)运放的输入失调电流o是两输入端电流之差。Z)(3)运放的共模抑制比KeW=.()A(明有源负载可以增大放大电路的输出电流。(力(5)在输入信号作用时,偏置电路改变了各放大管的动态电流。(X)四、电路如图T4.4所示。三、电路如图T4.3所示,仇=生=h=1。o各管的UBE均为0.7V,试求出的值。图4.4(1)说明电路是几级放大电路,各级分别是哪种形式的放大电路(共射、共集、差放);(2)分别说明各级采
14、用了哪些措施来改善其性能指标(如增大放大倍数、输入电阻)解:(1)三级放大电路,第一级为共集-共基双端输入单端输出差分放大电路,第二级是共射放大电路,第三级是互补输出级。(2)第一级采用共集-共基形式,增大输入电阻,改善高频特性;利用有源负载(八、元)增大差模放大倍数,使单端输出电路的差模放大倍数近似等于双端输出电路的差模放大倍数,同时减小共模放大倍数。第二级为共射放大电路,以T7.北构成的复合管为放大管、以恒流源作集电极负载,增大放大倍数。第三级为互补输出级,加了偏置电路,利用小、/)2的导通压降使79和。在静态时处于临界导通状态,从而消除交越失真。第5章放大电路的频率响应自测题一、选择正确答案填入空内。(1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是(八)。A.输入电压幅值不变,改变频率B.输入电压频率不变,改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(B),而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(八)。A.耦合电容和旁路电容的存在C.半导体管的非线性特性B.半导体管极间电容和分布电容的存在D.放大电路的静态工作点不适宜(3)当信号频率等于放大电路的九或加时,放大倍数的值约下降到中频时的(B)。A.0.5倍;B.0.7倍;