《-物料编码与物料选型.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《-物料编码与物料选型.docx（9页珍藏版）》请在第壹文秘上搜索。
1、一、物料编码1目的随着公司的发展和公司产品的增多，越来越多的物料被用于产品的开发和应用中。为了更好更有效的利用物料,我们须要对库中的物料进行编码。合理的对物料进行编码，对物料的有效应用和产品质量的提升起到了很大的作用。2范围适用于公司库中全部的物料，包括元器件、公司生产产品和外购件。3原则1 .运用“一码多物”，“一码一物”的原则，其中“一码多物”主要针对不同厂家的同一规格。2 .禁止出现“一物多码二3 .公司库中的物料只有经过编码的才能运用。最终一位是“X”的禁止入库到生产库的“0”库和成品库的“0”库。4 .任何新的物料必需按此规范进行编码后才能在公司内运用。4物料编码规则外购物料编码格式
2、如下：口口口口口口口口口口口大类小类流水号临时码位说明：优特公司的外购物料编码采纳11位编码，11位编码全部采纳0-9数字，以后依据状况确定是否采纳英文字母，假如是临时编码，加临时码位“X”。对于须要多个供应商多次加工的选购物品，假如存在半成品以及中间状态，那么，在该产品最终编码的后面增加一位英文字母，用A/B/C/D等，表示不同的生产状态。不同类别的物料，其流水号的定义可以不同。I开头的物料编码，对应的是电子类物料。2开头的物料编码，对应的是结构类物料。3开头的物料编码，对应的是外购成品类物料，一般是工程上运用。4开头的物料编码，对应的是包装、生产辅料、办公、工具类物料。6开头的物料编码，对
3、应的是自产组件类物料。7开头的物料编码，对应的是自产成品类物料。自产物料编码格式如下：口口口口口口口口口口口口总类大类小类辅类硬件版本软件版本流水号说明：优特公司的自产物料编码采纳13位编码，13位编码全部采纳0-9数字。总类为6表示该物料为组件，是不能干脆发给客户运用的，总类为7表示该物料为成品，是可以干脆发给客户运用的。紧跟2位是大类，后面2位是小类，再后面两位是产品辅类信息，再后面是产品的硬件版本（不能相互替代的硬件版本的流水号），紧跟后2位是产品的软件版本（不能相互替代的软件版本的流水号），最终两位是在可完全互换、硬件版本和软件版本相同状况下的流水号。二、物料选型1物料选型总则1 .所
4、选器件遵循公司的归一化原则，在不影响功能、牢靠性的前提下，尽可能少选择物料的种类。2 .优先选用物料编码库中“优选等级”为“A”的物料。3 .优选生命周期处于成长、成熟的器件。4 .选择诞生、下降的器件走特批流程。5 .慎选生命周期处于衰落的器件，禁止选用停产的器件。6 .功率器件优先选用RjA热阻小,Tj结温更大的封装型号。7 .禁止选用封装尺寸小于0402（含）的器件。8 .所选元器件抗静电实力至少达到250V。对于特别的器件如：射频器件，抗ESD实力至少100V,并要求设计做防静电措施。9 .所选元器件MS1.（潮湿敏感度等级）不能大于5级（含）。10 .优先选用密封真空包装的型号，MS
5、1.（潮湿敏感度等级）大于2级（含）的，必需运用密封真空包装。I1.优先选用卷带包装、托盘包装的型号。假如是潮湿敏感等级为二级或者以上的器件，则要求盘状塑料编带包装，盘状塑料编带必需能够承受125C的高温。12 .对于关键器件，至少有两个品牌的型号可以相互替代，有的还要考虑方案级替代。13 .运用的材料要求满意抗静电、阻燃、防锈蚀、抗氧化以及安规等要求。2各类物料选型规则2.1 芯片选型总的规则a）有铅BGA焊球优选Sn63Pb37合金，也可选择高铅（铅含量285%）的SnPb合金。无铅BGA焊球选择SnAgCU合金。b）有引线的SMD和集成电路器件，引脚线金属材料要为铜、铜合金、可阀合金、4
6、2合金材料，表面合金涂镀匀称、厚度符合相关标准（47.6m）,涂层不得含金属锌。锡铅引脚镀层：SnPb;无铅引脚镀层：优选:Matte-Sn.SnAgCu、NiAuNi/Pd/Au；Sn镀层：对于纯Sn镀层来讲，Sn镀层厚度27.6m（电镀工艺）、或22.5m（电镀后熔融工艺）、或25.1m（浸锡工艺）、或20.5Um（化学镀工艺）；阻挡层Ni:厚度23m;SnCu镀层：SnCu镀层厚度23m;Ni/Pd镀层：Pd镀层厚度20.075m,Ni镀层厚度在3m以上；Ni/Pd/Au镀层:Ni厚度23m,Pd厚度20.075m,Au厚度在0.0250.10mc）谨慎选用台湾的CPU、电源芯片。d）禁
7、止选用QFN封装的元器件，假如只能选用QFN封装的元器件，必需经过评审。选用任何QFN封装的芯片必需经付总一级的领导批准后才能运用。e）对于IC优先选用脚间距至少0.5MM的贴片封装器件。f）优选贴片封装的器件，慎选DIP封装器件。g）尽量不要选用BGA封装的元器件，不得不运用才选用。假如选用BGA,BGA球间距必需大于等于0.8m11,最好大于等于1.Omn1。而且尽量选用运用有铅BGA球器件的型号，并且运用有铅焊接工艺。h）禁止选用不支持在线编程的CPU。i）尽量不要选用三星的芯片。2.2 电阻选型规则1、电阻阻值优先选用10系列，12系列，15系列，20系列，30系列，39系列,51系列
8、，68系列，82系列。2、贴片电阻优选0603和0805的封装，0402以下的封装禁选。3、插脚电阻优选0.25W,0.5W,IW,2肌3肌5W,7W,IOW,15Wo4、对于电阻的温漂，J档温漂不能超过500ppmoC,F档温漂不能超过1OOppm/,B档温漂不能超过10ppmC。5、金属膜电阻IW及IW以上禁选，金属膜电阻750k以上禁选。6、7W以上功率电阻轴线型禁选7、慎选电位器，假如无法避开，选用多圈的，品牌用BoURNS。电子电位器依据芯片选型规范操作。8、电阻品牌优选YAGE0、MK、贝迪思。2.3 电容选型规则2. 3.1铝电解电容选型规则1、一般应用中选择标准型、寿命1000
9、HR3000HR（为价格考虑，慎选长寿命型），选择铝电解电容寿命尽量选择2000Hr.2、对于铝电解电容的耐压，3.3V系统取10V,5V系统取IOW12V系统取25V、24V系统取50V；48V以上系统选100V；3、铝电解电容必需选用工作温度为105度的。4、对于铝电解电容的容值，优选10、22、47系列；25V以下禁选224、105、475之类容值型号（用片状多层陶瓷电容或留电解电容替代）。5、对于高压型铝电解电容保留400V。禁选无极性铝电解电容。6、一般铝电解电容选用品牌“SAMWHA（三和），高端铝电解电容选用NCC（黑金刚）或其他日本名牌铝电解电容。7、禁止选用贴片的铝电解电容。
10、3. 3.2铜电解电容选型规则1、留电解电容禁止选用耐压超过35V以上的。2、插脚式锂电解电容禁选。3、对于钳电解电容的耐压，3.3V系统取10V.5V系统取16V、12V系统取35V,10V、16V、35V为优选，4V、6.3V、50V为禁用（用铝电解电容替代）。4、对于留电解电容的容值：优选10、22、47系列。容值105以下的锂电解电容禁选（用陶瓷电容替代）。5、铝电解电容品牌：KEMET.AVX4. 3.3片状多层陶瓷电容选型规则1、高Q陶瓷电容慎选；只用在射频电路上。2、片状多层陶瓷电容封装：0603、0805优选、1206、1210慎选、1808以上禁选。3、片状多层陶瓷电容耐压：
11、优选25V、50100V；106（含）以上容值的耐压不大于25Vo4、片状多层陶瓷电容容量：优选10、22、33、47、68系列。5、片状多层陶瓷电容的材料，优选NP0、X7R、X5R,其它禁选。6、片状多层陶瓷电容的品牌：TAIY0、MURATA、KEMETTEMEX（高Q陶瓷电容）5. 3.4引脚多层陶瓷电容选型规则1、新产品禁止选用此类电容（运用片状多层陶瓷电容替代）。2.4 继电器选型规则1、品牌选择：PANASONIC、OMRON、FINDER（2、禁止运用继电器插座。2.5 二极管选型规则1、禁止运用玻璃封装的二极管2、发光二极管优选直径为5mm的插脚型号.贴片发光二极管优选选用有
12、焊接框架的型号，ESD/MS1.等级遵循上述的标准。3、整流二极管：同电流等级优先选择反压最高的型号.如IA以下选用1N4007,3的选用IN5408o4、肖特基二极管：同电流档次的保留反压最高的等级，如：1N5819保留，1N5817禁选，SS14保留，SS12禁选;M7,30BQ060,S5G保留。5、发光二极管优选有边、短脚的；为了保持公司产品的一样性，红发红、绿发绿等型号优选，白发红、白发绿等型号慎选；假如没有特别要求，尽量不要运用长脚、无边的。6、发光二极管优选品牌为“亿光”。7、瞬态抑制二极管的品牌优选PROTE,SemteCHo2.6 三极管选型规则1、90IX系列的三极管选用9
13、用2,9013o2.7 接插件选型规则1、禁选IC插座，假如不能避开运用IC插座，必需运用圆孔的IC插座。2、插针座选用三面接触的，禁止运用2面接触的。PC104等特别要求的除外。3、成套的接插件要求运用同一品牌的，既插头、插座配套运用的要求它们为同一品牌的。2.8 开关选型规则1、禁选拨码开关。2、电源开关优选船形开关.2.9 电感选型规则1、贴片电感品牌优选“三礼”和“SUMIDA”。2.10 CPU选型规则1、假如选用的CPlJ是与我公司已运用过的同系列不同型号的，须要经过生产付总同意。假如选用的CPU是我公司从来没有运用过的新的系列的CPU,必需经过公司级领导开会探讨来确定。2、保留A
14、tmega48,Atmegal68,Atmega32,Atmegal281,新的产品禁止再运用attiny2313和AtnlCga88。3、QFN封装的Atmega128禁止以后新产品选用。4、ARM7只能选用以下几种：1.PC2138FBD64、1.PC2292FBDI44、STR710FZ2T6STR711FR2T6.5、以后新产品运用Coldftre系列替代68ooo系列。2.11 F1.ASH选型规则1、并行F1.ASH品牌优选SPANSlON、SST,禁止选用SAMSUNG。2、串行F1.ASH品牌优选ATME1.o新的产品禁止再运用AT45DB081B-RIo2.12 SRAM选型
15、规则1、品牌优选ISSl,CYPRESS,MICRON,IDT,禁用SAMSIJNGo2.13 EEPROM选型规则1、禁止选用并行的EEPRo2、串行EEPROM品牌优选ATME1.和MICROCH1P。3、新的产品禁止选用241.C65-I/SM。2.14 晶体和晶振选型规则1、晶体物料通用技术要求：AT切（基频），20pF负载电容，温度范围-20+70C（工业温度等级），制造频偏30PPnb温漂50ppmC,无铅产品。2、晶体和晶振品牌优选HoSONIC和EPSoN。3、晶体和晶振优选系列如下表：名称品牌优选型号频率范围矮型插脚晶体H0S0NICESA*.*F20E35F25MHz矮型贴片晶体HOSONIcESB*.*F20E35F25MHz方形贴片晶体H0S0NICE6SB*.*E20E35F8MHz25MHz小型塑封表晶EPSONMC-15632.7680KA-A532.768kHz方形贴片晶振HOSONICD36B*.*NNS方形插脚晶振HOSO
