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1、ICS31.080.10CCSL41中华人民共和国电子行业标准SJ/T11845.32022基于低频噪声参数的电子元器件可靠性评价方法第3部分:二极管ReliabilityevaluationmethodsforelectroniccomponentsanddevicesbasedonlowfrequencynoisePart3:Diode2022-10-20发布2023T)I-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布前言11范围12规范性引用文件13术语和定义14一般要求15详细要求15.1 噪声等级15.2 噪声测试的技术要求15.3 评价方法26方法应用36.1 设计及工艺稳定性评价36
2、.2 批次一致性分析及解选3本文件按照GB/T1.1-2020标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则的规定起草。本文件是基于低频噪声参数的电子元器件可靠性评价方法的第3部分。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本文件由基于低频噪声技术的电子元器件可靠性无损检测标准工作组提出并归口基于低频噪声参数的电子元器件可靠性评价方法第3部分:二极管1范围本文件规定了用于稳压二极管(以下简称器件)可靠性评价的低频噪声参数、评价方法及方法应用。本文件适用于用于稳压二极管(以下简称器件)可靠性评价的低频噪声参数评价方法及方法应用。2规范性引用文件下列文件中的
3、内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该口期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。SJ/T11767-2020二极管低频噪声参数测试方法SJ/T11769-2020电子元器件低频噪声参数测试方法通用要求SJ/T11845.1-2022基于低频噪声参数的电子元器件可靠性评价方法第1部分:通用要求3术语和定义SJ/T117672020XSJ/T117692020和SJ11845.12022确立的术语和定义适用于本文件。4一般要求本文件依据是否出现爆裂噪声决定采用不同的检验周期及是否需要噪声分级。如需要噪声分级
4、,按照器件噪声大小从低到高将被测器件划分为I、II、III级。根据不同产品对器件质量的不同要求,选用相应噪声等级的器件。5详细要求5.1 噪声等级二极管低频噪声反映了器件内部缺陷的严重程度。按照SJ/T117672020得到的二极管低频噪声测试结果,对被测的二极管进行噪声分级:a) I级:无爆裂噪声且1/f噪声小;b) II级:无爆裂噪声且1/f噪声较小;c) m级:存在爆裂噪声或f噪声较大.噪声分级的标准见5.3。5.2 噪声测试的技术要求二极管噪声测试技术要求包括测试电路、测试装置、测试方法等。二极管噪声测试电路、测试装置等技术要求按照SJ“117692020电子元器件低频噪声参数测试方法
5、通用要求的规定执行。二极管噪声测试方法按照SJ11767-2020二极管低频噪声参数测试方法的规定执行。5.3 评价方法用于二极管可推性评价的低频噪声包括爆裂噪声与1/f噪声。5.3.1爆裂噪声分级爆裂噪声按如下规定进行分级:爆裂噪声判据的缺陷及缺陷簇,表现为低频噪底用世存在大幅度脉冲。若该电流或电压脉冲则判断为存在爆裂噪声。无爆裂噪声 当器件在筛夕 噪声测 存在爆蓟Q声分级,且被试器件可i荐按照24个月为周期开展螺蹩中出现爆裂噪.诡Y对该件按挑忸q亍噪声分级。A直至连续五个批5. 3.2k规定进噪声F映了 表现同俘获截面分采用一定频率Un (MZ专曲,度来表示,譬如十倍程频的况带喋声电压0,
6、30 Hz的十倍程频宽带噪声电压来表;的大小,记作1/f噪 N 级判据、首先,诵J呼迎迎 测试结果,於聚 1/f噪声分级。其次,对这批二极管涌7Ii宽带l/f噪声电压上i/始的反向漏电流/Mf承备参数UJ/R,用于二极管的瑰计计算,计算出u4R的平均值爆裂噪声反映了二极管芯片内部势垒区、氧化层界面处及芯片终端界面处存在较大俘获截面及均方差。n,得到两个阈值分别为UnI=Un/rnUn2=Un+an一般情况下采用a=0.67。最后,根据每个器件测得的宽带噪声电压Ult(3Hz30Hz)与器件反向漏电流心的比值,由U0l.Un2确定各二极管1噪声分级结果,BP:I级:UnUn,表明1/f噪声小II级:UnlVUaVUn2,表明1/f噪声较小In级:UnUn2,表明1/f噪声较大6方法应用6.1 设计及工艺稳定性评价二极管存在爆裂噪声时,通常表明产品设计存在缺陷或生产工艺不稳定。二极管爆裂噪声也可用于工艺稔定性评价或设计缺陷分析。6.2 批次一致性分析及筛选在高可毡应用领域,为保持生产工艺的稳定性及产品的一致性,可采用爆裂噪声和1”噪声作为筛选项目,对所生产元器件进行分级.可根据二极管具体应用场景,选用不同噪声等级产品。