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1、论文修回说明尊敬的各位审稿专家和编辑：首先，衷心感谢各位给出的非常详尽的建议，对提升论文的质量以及作者在本论文讨论问题上的认识非常有帮助，作者根据各位审稿专家及编辑的评阅意见对论文进行了修改，并用底纹标出。绝大部分地方均按照评阅意见进行了修改,除了以下几个地方需要进一步说明或者讨论：1 .关于图4的曲线问题，尤其是电阻变化和光信号变化的问题：审稿专家原意见：电参数变化特性测量信号。图中绿色的光电信号好像不正常，不应该是方波，不好解释点火现象，而应是随着火焰光强变化的振荡信号。粉红色电阻信号为何在275s以后突然变为零？为什么对应电阻变为零，红色电流信号也变为零，其物理意义是什么？说明：（1）实
2、验所用的光电转换器是基于光电二极管的一种光信号调理器，只有在光强超过二极管的阈值的时候才会输出一个电信号，而且输出的信号仅是方波信号，不会随着光强的改变而变化。一段时间后又恢复到初始状态。图1是半导体桥裸桥（未涂药剂）在电容放电激励下电参数变化曲线，根据文献等离子体在电压曲线第二个峰处产生，光电信号也在这附近反转。（2）由于动态电阻是根据点火器件两端实测的电压和电流信号，按照欧姆定律计算得到，而在275s以后，点火器件作用（电容放电）结束，回路不再有电流流动，因此电流和电压降为零。但示波器采集到的信号不是完全等于零，而是微弱的振荡变化（如图1）,因此计算出来的动态电阻变化就非常巨大，如图2所示
3、。因此，作图时人为地去掉了后面振荡部分。图1实际的动态电阻曲线2 .关于原稿中图11,多晶硅点火器件和含能点火器件点火时间的问题。审稿专家原意见：文中Pl型的发火时间测试误差很大,是否与蘸药头工艺一致性,光电二极管测时的摆放位置有关,建议提高数据一致性进行重新测试.说明：实验时，多晶硅和含能点火器件的涂药是同一批次涂覆，均采用两次涂覆，在第一次涂覆静止一段时间后，检查是否有空洞、药量是否与陶瓷塞顶端平齐，若无，则进行第二次补涂，所以涂药工艺一致性还是可以保证的，且从含能点火器件的实验结果也可以证明；实验时光电二极管位置始终正对陶瓷塞，距离为5cm,有相应的夹具保证距离与正对位置。实验结果中仅多晶硅点火时间误差较大，而且仅在14V和18V两个点误差较大（但是实验时这两个点均加做一发），接合感度实验结果多晶硅点火器件的标准偏差为053,而含能点火器件为0.14,因此作者认为这是在低输入能量下，多晶硅本身点火能力的问题。再次感谢审稿专家及编辑对本论文的帮助！!
