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1、完善第三代半导体产业工作机制实施方案一、发展目标到2025年，我省第三代半导体产业链链条完善，关键核心技术自主可控，保持第三代半导体关键材料市场领先地位。培育壮大产业带动能力强的链主企业，提升芯片和器件设计能力，扩大应用场景，实现协同发展，打造百亿级国家第三代半导体产业高地。创新能力显著增强，引进并培养一批高端人才，壮大人才队伍，建成第三代半导体国家地方联合工程研究中心、产业技术创新中心、国家博士后科研工作站和院士工作站，搭建国际先进的第三代半导体公共研发、检测和服务平台，突破新材料、工艺装备和芯片设计等核心关键技术，推动全产业链创新能力得到有效提升。产业链条持续完善，补齐产业链关键环节，努力
2、打造国内领先、国际先进的产业集群，提升产业协同发展能力，形成结构合理、生态良好的第三代半导体产业体系。市场主体培育壮大，大力发展掌握核心技术、具有国际竞争力和影响力的龙头企业，带动发展掌握核心关键技术的特色企业，夯实第三代半导体产业发展根基。产业规模快速提升，抓住新能源汽车、汽车电子、5G应用、双碳减排等新应用的市场机会，迅速做大产业规模。到2025年，第三代半导体材料、芯片、器件、模块、应用等产值达到300亿元。二、基本原则1、优化布局、协同发展统筹全省产业布局，支持济南、青岛、淄博、潍坊、济宁等市先行先试，指导有条件的市做好产业配套，集中优势资源支持第三代半导体关键技术突破、重点产品发展和
3、重大项目建设，逐步做大产业规模。2、龙头带动、链式发展不断优化产业结构，延伸完善产业链条，发挥龙头企业引领支撑作用，补齐产业链缺失环节，促进晶体材料一芯片及器件制造一模块及系统应用全产业链集聚发展，打造空间集聚、功能关联的第三代半导体产业集群。3、技术驱动、创新发展以新基建为重要抓手，主动承担国家科技重大专项和重大工程，不断突破共性关键技术和重大产品研发，加强对产业链关键环节、核心技术掌控，提升产业核心竞争力。4、应用导向、融合发展以市场为导向，以应用为牵引，推动技术集成、产品应用、商业模式创新，强化第三代半导体企业、系统方案提供商与系统整机企业交流与合作，推进第三代半导体技术研发与应用，带动
4、全省电子信息产业融合发展。三、完善工作机制省工业和信息化厅会同相关部门做好规划的组织实施和监测评估等工作，强化统筹协调，在要素保障、市场需求、政策帮扶等领域精准发力，形成稳定、发展、提升的长效机制。采取切实有效的政策措施，抓好重点任务落实。各市要结合本地实际，落实相关配套政策。相关行业组织要充分发挥桥梁和纽带作用，协同推动规划的贯彻落实。有关部门、各地方、相关行业组织要加强第三代半导体产业推进工作的经验模式总结和宣传推广。要督促企业建立健全生产经营全过程安全生产管理制度，守住安全底线。四、推动下游应用，拓宽产业发展渠道1、抢抓市场机会，推动第三代半导体功率模块产业化面向第三代半导体器件在充电桩
5、、电动汽车、家电等应用领域，提升芯片及模块在电气性能、散热设计、可靠性、封装材料等方面的性能，突破关键技术难题，扫清产业规模扩大的技术壁垒，加快实现模块量产，降低生产成本，扩大应用规模，形成产业集聚，打造模组开发应用产业化的新高地。2、加快国产化第三代半导体产品应用推广围绕半导体照明、激光器、电力电子器件、高频宽带等具有市场潜力的领域，组织开展第三代半导体产品应用试点示范，加快市场渗透，提升国产化率，推动上中游产品在下游应用的快速验证，形成以用兴业的良性循环。五、坚持全产业链协同发展，提升产业整体竞争能力以技术和产品发展相对成熟的SiC、GaN材料为切入点，迅速做大第三代半导体产业规模。聚焦材
6、料、外延、芯片、器件、封装、设备和应用等第三代半导体产业链重点环节，加强产学研联合，以合资、合作方式培育和吸引高水平企业，促进产业集聚和产业链协同，推动第三代半导体在电力电子、微波电子和半导体照明等领域的应用，打造第三代半导体产业发展高地。1、提升材料制备和产业化能力加速推进大尺寸SiC、GaN等单晶体材料生长及量产技术，突破SiC.GaN材料大直径、低应力和低位错缺陷等关键技术，全面提升4-8英寸GaN外延、SiC衬底单晶材料产业化能力。突破超硬晶体材料切割和抛光等关键核心技术，提升4-8英寸SiC、GaN衬底材料精密加工能力。加大对薄膜材料外延生长技术的支持力度，补足第三代半导体外延材料生
7、长环节。推动Ga203等新一代超宽禁带半导体材料的研发与产业化。2、提升器件设计和制造能力搭建第三代半导体研发、仿真设计平台，大力扶持基于SiC、GaN等第三代半导体材料的功率、射频、以及微型发光器件及芯片设计产业，围绕SiC功率器件的新能源汽车应用和GaN功率器件的消费类快充及工业类电源市场，促进产学研合作以及成果转化，引导器件设计企业上规模、上水平。推进基于GaN、SiC的垂直型肖特基二极管(SBD)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),高电子迁移率晶体管(HEMT).大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT),微型发光二极管(MierO-1.ED)、高端传感器、以及激光器等器件和模块
8、的研发制造，支持科研院所微纳加工平台建设。大力推动晶圆生产线建设项目，优先发展特色工艺制程器件制造，在关键电力电子器件方面形成系列产品，综合性能达到国际先进水平。3、提升封测技术和供给能力重点开发基于第三代半导体的功率和电源管理芯片的封装材料，解决高功率、高密度大芯片的封装可靠性技术问题，积极引进先进封测生产线和技术研发中心，推动高端封装测试工艺技术装备的研制和生产效率的提升，提高产业链配套能力。4、提升关键装备支撑能力布局生长、切片、抛光、外延等核心技术装备，突破核心共性关键技术，通过关键设备牵引，实现分段工艺局部成套。突破SiC晶体可控生长环境精准检测与控制技术、基于大数据分析的数字李生及
9、人工智能模拟技术，研制SiC单晶智能化生长装备并实现产业化。提升清洗、研磨、切割等设备的生产能力以及设备的精度和稳定性。六、培育优势主体，拉动产业整体规模快速扩大1、壮大龙头企业加大对重点企业的关注和扶持力度，实行一企一策，协调解决企业发展关键制约点。优先将符合条件的产业链重点项目纳入山东省新旧动能转换重大项目库，充分利用好新旧动能转换政策，进行重点扶持；围绕SiC、GaN等晶体材料、功率器件和模块、照明与显示器件和下游应用等产业链关键环节，培育壮大细分行业领军企业。2、融通产业环节强化需求牵引的作用，从应用端需求入手，加强从材料、芯片、器件到模块应用产业链上下游的深度合作。加强省内省外行业对接合作，精准招引、实施补链、延链、强链项目。沿链分批打造规模大、技术强、品牌响的领航型企业，培育细分领域的专精特新企业，促进产业链上下游、大中小企业紧密配套、融通发展，有效提升产业链供应链的稳定性和竞争力。资料整理来源：山东省第三代半导体产业发展十四五规划
